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PSMN系列MOSFET
Nexperia的N沟道80 V，3.3mΩ标准电平MOSFET（PSMN Series MOSFETs），TO-220或I²PAK
发布时间：2018-06-14
Nexperia的 PSMN系列是标准级N沟道MOSFET，采用TO-220或I 2 PAK封装，符合175°C标准。该产品的设计和认证适用于各种工业，通信和家用设备。PSMN将提供均衡的同步FET解决方案，其电流额定值得到改善 - 使设计更加稳健，具有更好的SOA和额定功率。
PSMN系列MOSFET特性
由于低开关和传导损耗，效率高
适用于标准级栅极驱动源
PSMN系列MOSFET应用
DC-DC转换器
负载切换
电机控制
服务器电源
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PSMN3R3-80PS,127 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=80V SOT78 | 在线订购 | |
 | | PSMN4R3-100ES,127 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=100V SOT226 | 在线订购 | |
| | PSMN4R3-100PS,127 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 100V 338W DIP TO220AB 120A N-Channel | ￥30.84480 | 在线订购 |
| | PSMN3R3-80ES,127 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=120A VDS=80V SOT226 | 在线订购 |
应用案例
资讯英国最大的晶圆厂裁员100人，当事人：都怪政府2023-09-07
时间快进到本周，Nexperia 提议裁员 100 名员工，发言人告诉The Reg 公司不得不取消投资。“这是一项并非草率做出的商业决定，而是我们为了保护该网站未来的生存能力而做出的决定。”
资讯英国最大晶圆厂NWF将裁员100人2023-09-07
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资讯半导体器件散热性能的仿真实验2023-09-07
为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia(安世半导体)讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。
资讯安世半导体热插拔MOSFET与碳化硅二极管入围年度功率半导体2023-08-28
一年一度的全球电子成就奖评选（World Electronics Achievement Awards)正在火热进行中，该奖项旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。今年，Nexperia（安世半导体）的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体！ 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时兼顾低RDS(on)和强大线性模式性能，并提供业界领先的功率密度 碳化硅(SiC)肖特基二极管(650 V, 10 A) - PSC1065K20 将小尺寸、高效率
资讯安世半导体推出负载开关产品系列2023-08-18
近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角，这是一款高密度集成电路(IC)，凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能，可帮助提高系统可靠性，保障系统安全。该器件经过优化升级，适合应用于便携式设备（如笔记本电脑）、台式电脑、扩展坞和车载信息娱乐系统。
资讯Nexperia扩展产品组合，率先推出集成式5 V负载开关2023-08-17
精准控制功耗，具备超强系统安全性。 奈梅亨， 2023 年 8 月 17 日 ：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角，这是一款高密度集成电路(IC)，凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能，可帮助提高系统可靠性，保障系统安全。该器件经过优化升级，适合应用于便携式设备（如笔记本电脑）、台式电脑、扩展坞和车载信息娱乐系统。 负载开关是各
资讯安世收购英国最大晶圆制造厂2023-08-14
据英国《泰晤士报》报道，英国Newport晶圆厂的员工 给 《 泰晤士报 》 的一封措辞强硬的信中，表 示 代表582名员工的员工协会表示。Newport晶圆厂员工们完全支持Nexperi a安世半导体 对工厂的所有权。因为Nexperia提供 了稳定的工作、改善了工作保障、工资和工作条件。Newport晶圆厂 员工协会代表Dennis Knight表示， 这 反映了几乎所有Newport晶圆厂工人的观点。 Newport Wafer Fab是英 国最大的芯片制造厂，但相比台积电、联电等芯片制造企业，Newport晶圆厂的体量
资讯为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样2023-08-14
在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。 合并 PIN 肖特基（MPS）结构可减小漏电流 金属-半导体接面的缺陷是导致 SiC 肖特基二极管漏电流的主要原因。尽管采用更厚的漂移层可减小漏电流，
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