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55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET
NXP 的 55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET （55 V, N-Channel Trench MOSFET）具有超过 3 kV HBM 的静电放电保护 (ESD) 能力
发布时间：2018-06-14
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET特性
静电放电 ESD 保护能力超过 3 KV HBM
沟槽式 MOSFET 技术
低阈值电压
非常快的开关速度
55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低压侧负载开关
开关电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BSH111BKR | MOSFETs-晶体管 | N沟道增强型垂直D-MOS晶体管在小型SOT223封装中。 | ￥0.22440 | 在线订购 |
应用案例
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可靠的保护器件可最大程度地降低对信号完整性的影响 奈梅亨，2022年8月2日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化
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资讯Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET2022-07-06
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计
资讯Nexperia推出全新电平转换器以支持传统和未来的手机SIM卡2022-06-23
低工作电流和低关机电流有助于尽可能延长手机电池续航时间 奈梅亨2022年6月23日——安世半导体推出NXT4557GU和NXT4556UP电平转换器系列新品。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转
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2022年6月16日 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统级
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