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NPN/NPN、大功率、双重-双极性晶体管
NXP 的 NPN/NPN、大功率、双重-双极性晶体管（NPN / NPN, High-Power, Double-Bipolar Transistor）适用于可达 175°C 的高温应用
发布时间：2018-06-14
NXP 提供采用 SOT1205 (LFPAK56D) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装的 NPN/PNP、大功率、双重-双极性晶体管。
NPN/NPN、大功率、双重-双极性晶体管特性
电流增益匹配 5%
热功率耗散能力强
适用于达到 175°C 的高温应用
通过汽车级鉴定
相比采用 DPAK 的晶体管，降低了印刷电路板 (PCB) 要求
发热少，能效高
NPN/NPN、大功率、双重-双极性晶体管应用
电流镜
电机控制
电源管理
背光照明应用
继电器替代品
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PHPT610035NKX | 通用三极管-晶体管 | NPN/NPN高功率双极晶体管 | ￥4.74725 | 在线订购 |
应用案例
资讯借助200V超快速恢复整流器充分提高SMPS效率2023-01-30
工程师可以通过正确选择恢复整流二极管类型来优化其功率设计的效率。对于 200V 区域，Nexperia（安世半导体）的高端超快速 PNE 系列可以在开关模式电源方面发挥作用。本文将使用 DC-DC 转换器来演示二极管的优势。
资讯实至名归，安世半导体斩获2022行家极光奖两项大奖！2023-01-10
2022年行家说全球第三代半导体产业发展高峰论坛，暨2022行家极光奖（2022 Hangjia Aurora Award）颁奖晚宴在深圳顺利举办。Nexperia（安世半导体）突出重围，将「GaN产业推动先锋」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中，展现了作为基础半导体领域全球领导者的强大实力。Nexperia（安世半导体）MOSFET 业务集团大中华区总监李东岳出席了晚宴并代表了安世半导体领奖。
资讯Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品2022-12-19
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案 奈梅亨， 2022 年 12 月 19 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示
资讯Nexperia发布用于汽车和工业的650V超快恢复整流管2022-11-22
Nexperia（安世半导体）持续加大投资，扩大产能，以满足市场对于 CFP 封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求，Nexperia（安世半导体）计划进一步扩大 650 V 表面贴装的快恢复整流管（高达30 A）
资讯Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍2022-11-21
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区（SOA）性能与超低的 RDS(on)相结合，非常适合用于 12V 热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia（安世半导体）致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键 MOSFET 的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的
资讯Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管2022-11-22
不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品 奈梅亨， 2022 年 11 月 22 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器件，可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器，以及工业应用中的功率转换器、PV逆变器和电源。标准产品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101标准的产品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PN
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