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40 V、2 A、低 VCE(sat) (BISS) 晶体管
NXP 的低 VCE(sat) (BISS) 晶体管（40 V, 2 A, Low VCE(sat) (BISS) Transistors）发热少，能效高
发布时间：2018-06-14
NXP 在其小信号 (BISS) 晶体管中实现了具有突破性意义的低 VCE(sat)，这种器件采用中等功率 SOT223 (SC-73) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
40 V、2 A、低 VCE(sat) (BISS) 晶体管特性
低“集电极 - 发射极”饱和电压 (VCE(sat))
高集电极电流能力（IC 和 ICM）
通过汽车级鉴定
发热少，能效高
获得 AEC-Q101 认证
40 V、2 A、低 VCE(sat) (BISS) 晶体管应用
DC-DC 转换
电源线路开关
电池充电器
LCD 背光照明
低电源电压应用中的驱动器（如灯泡和 LED）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PBSS4240ZF | 通用三极管-晶体管 | TRANS NPN 40V 2A SOT223 | ￥1.64193 | 在线订购 |
| | PBSS5240ZF | 通用三极管-晶体管 | 三极管 PNP Ic=-2A Vceo=-40V hfe=300 P=1.35W SOT223-3 | 在线订购 |
应用案例
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N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET-BUK9E3R2-40E
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N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET-BUK9E8R5-40E
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N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET-BUK9E15-60E
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N 沟道 TrenchMOS 标准级 FET-BUK751R6-30E
资讯N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET-BUK951R6-30E2023-03-06
N 沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET-BUK951R6-30E
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