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    CG2H40045 射频功率 GaN HEMT

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    Cree Wolfspeed CG2H40045 射频功率 GaN HEMT (CG2H40045 RF Power GaN HEMT)适用于线性和压缩放大器电路

    发布时间:2018-06-14

    Cree Wolfspeed 的 CG2H40045 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40045 采用 28 V 电源轨工作,可为各种射频和微波应用提供通用型宽带解决方案。GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽,因此 CG2H40045 是线性和压缩放大器电路的理想之选。该晶体管采用法兰式和丸状封装。

    CG2H40045 射频功率 GaN HEMT特性

    • 工作频率最高可达 4 GHz

    • 2.0 GHz 时具有 18 dB 小信号增益

    • 4.0 GHz 时具有 14 dB 小信号增益

    • 55 W(典型值)PSAT

    • PSAT 时效率为 60%

    • 28 V 工作电压

    CG2H40045 射频功率 GaN HEMT应用

    1. 双向私人对讲机

    2. 宽带放大器

    3. 蜂窝基础设施

    4. 测试仪器

    5. A 类、AB 类线性放大器,适合 OFDM、W-CDMA、EDGE 和 CDMA 波形

    CG2H40045 RF Power GaN HEMT
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    CG2H40045FMOSFETs-晶体管RF Mosfet 28 V 400 mA 4GHz 16dB 440193在线订购
    CG2H40045F-TB开发板/评估板/验证板-开发板/套件/编程器GaN CG2H30070F HEMT 0Hz ~ 4GHz 评估板在线订购

    应用案例

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