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    600 V GenX3SC™ IGBT

    600 V GenX3SC™ IGBT

    Digi-Key 推出来自 IXYS 的 600 V GenX3SC™ IGBT(600 V GenX3SC™ IGBTs)

    发布时间:2018-06-13

    功率半导体行业最近出现的碳化硅 (SiC) 技术及其商业化,为低损耗、耐高温分立功率元件开发带来了巨大的性能飞跃。 IXYS 将最新的碳化硅二极管技术与其先进的 GenX3™ IGBT 结合在一起,使诸多应用的能效和性能达到一个全新水平,具体如开关模式电源、电机驱动器、功率因数校正电路和风能、太阳能逆变器。 这种集成会大大减少 IGBT 和二极管的动态损耗,提供并一种能让系统级性能实现相当大提升的方法。

    600 V GenX3SC™ IGBT特性

    • 超快碳化硅肖特基混装二极管

    • 无需反向恢复

    • 方形 RBSOA

    • 高功率密度

    • 对针低导通和开关损耗而优化

    • 两种速度分类(B3 和 C3 类别)

    • 额定雪崩

    • 专有的 ISOPLUS 封装选择(2500 V 电气隔离)

    • 提升了整体系统级能效

    • 降低了总体系统成本

    • 能够提高 PWM 频率,减少了磁性和滤波元件的尺寸和数量

    • 能够使用更小的散热和/或冷却装置

    600 V GenX3SC™ IGBT应用

    1. 高频功率转换器

    2. UPS

    3. 电机驱动器

    4. SMPS

    5. PFC 电路

    6. 电池充电器

    7. 焊机

    8. 灯镇流器

    600 V GenX3SC IGBTs
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