该系列P沟道器件利用了IXYS先进沟槽单元技术带来的优势，这些技术通常在其业界公认的功率器件产品组合中实施。它们具有超低导通电阻（R DSon）和栅极电荷（Qg），可最大限度地降低传导和开关损耗，同时提高操作和热效率。

这些器件非常适用于“高端”开关应用，其中可以采用以地为参考的简单驱动电路，绕过使用N沟道MOSFET时通常涉及的额外“高端”驱动器电路。这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，这允许设计具有相应IXYS N沟道MOSFET的互补功率输出级，用于具有简单驱动电路的功率半桥级。

IXTP32P05T（-50 V，-32 A，Qg = 46 nC，R DSon = 36 mOhms）和IXTP28P065T（-65 V，-28 A，Qg = 46 nC，R DSon= 45 mOhms）是一些例子，说明了TrenchP™P沟道功率MOSFET系列提供的卓越电气和热效率。其他功能包括扩展的正向偏置安全工作区（FBSOA），快速开关性能和出色的雪崩功能。这些产品可用于支持额定电压和电流范围为-50 V至-150 V和-18 A至-140 A的应用。封装选项包括标准低成本通孔TO-220和表面贴装TO-263封装。可从这些器件中获益的常见应用包括高侧或负载开关，DC / DC转换器，高电流调节器，DC斩波器，CMOS高功率放大器，推挽式放大器和功率固态继电器。