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    下一代 SiC 肖特基势垒二极管

    下一代 SiC 肖特基势垒二极管

    Microsemi 的肖特基势垒二极管产品(Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes)是电气化应用的理想选择

    发布时间:2018-06-13

    Microsemi 宣布推出 1200 V、10 A 和 20 A SiC 肖特基势垒二极管产品,同时 30 A 和 50 A SiC 二极管即将出炉。凭借相比竞争产品高出 20% 的雪崩能量/UIS 额定值、高重复浪涌电流稳健性以及固有的 SiC 效率和系统成本优势,Microsemi SiC 二极管成为像高电压 HEV/EV 充电站模块中 PFC 和输出整流、车载充电器、DC-DC 转换器、能量回收系统和开关模式电源这样的电气化应用的理想选择。

    下一代 SiC 肖特基势垒二极管特性

    • 在更高电压 (> 650 V) 和更高开关频率下具体能效优势

    • 更低的正向电压 (VF) 可实现更低的静态损耗和更高的能效

    • 低 EMI 几乎完全防止了硬开关期间的反向恢复充电 (Qrr)

    • 更高温度 (+175°C) 下稳定工作

    • 在相同的物理尺寸、更低的成本(更小的磁性元件和滤波器、更少的冷却/散热器成本等)条件下,系统效率实现了 25% 的功率输出增加

    Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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    应用案例

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      MicrochipTechnology Inc.日前表示,计划以超过100亿美元的价格收购美国最大的军事和航空航天半导体设备商业供应商Microsemi Corp,该交易预计在2018年第二季度完成

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    • 资讯Microsemi 基于闪存FPGA架构低功耗SmartFusion2 SoC FPGA开发方案2018-05-14

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    • 资讯Microsemi预被收购_Skyworks为潜在的可能买家2018-01-28

      坐落于加州Aliso Viejo的Microsemi成立于1960年,前称为Microsemiconductor Corporation,于1983年3月改为现用名。公司是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路供应商。从产品形态上看,包括所谓的通用IC、FPGA、SoC、ASIC、RF和PoE,他们的产品被广泛应用到太空、国防、通信、大数据中芯和工业等多个领域,产品覆盖了通信基础设施、无线和有线LAN系统、植入式心脏起搏器和去颤器、雷达系统、军事、通信卫星、航空飞机、企业级存储和超大规模数据中心。

    • 资讯UltraSoC被Microsemi选中用于其RISC-V产品系列2017-11-16

      英国剑桥市,2017年11月14日。UltraSoC今日宣布:以功率技术、安全性、可靠性和性能见长的差异化半导体解决方案领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)已购买了UltraSoC的通用分析与嵌入式智能平台授权,用于其不断扩展的、基于RISC-V开源处理器架构的Microsemi产品。

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