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LTO150 厚膜电阻器
Vishay Sfernice 的厚膜电阻器（LTO150 Thick Film Resistor）功率耗散相比同类 TO247 封装产品具有 50% 的提升
发布时间：2018-06-13
Vishay Sfernice LTO150 是业内首款功率耗散相比类似 TO247 封装产品具有 50% 提升的厚膜电阻器。该产品涵盖 0.03 Ω 至 1.3 MΩ 的广泛范围，符合 AEC-Q200 规范。主要应用包括电源、电流检测、电源转换、高速开关、射频应用、脉冲生成、负载电阻器、吸收电路、脉冲处理、预充电和放电等。
LTO150 厚膜电阻器特性
安装散热器时 150 W 下外壳温度为 +45°C
在散热器上直接安装陶瓷
宽电阻范围：0.03 Ω 至 1.3 MΩ
非感性
TO-247 封装：紧凑且易于安装
线夹安装设计
使用 UL 94 V-0 材料 - 符合 EN45545-2 标准
LTO150 厚膜电阻器应用
HV
EV
电动汽车
充电
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LTO150FR4700JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 470 mOhms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F1R000JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 1 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F2R200JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 2.2 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F4R700JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 4.7 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
 | | LTO150F22R00JTE3 | 插件电阻-电阻器 | RES 22 OHM 5% 150W TO247-2 | 在线订购 | |
| | LTO150F100R0JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 100 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | ￥71.11152 | 在线订购 |
| | LTO150F220R0JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 220 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F10R00JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 10 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F470R0JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 470 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
 | | LTO150F10000JTE3 | 插件电阻-电阻器 | RES 1K OHM 5% 150W TO247-2 | 在线订购 | |
| | LTO150F22000JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 2.2 kOhms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150FR1000JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 100 mOhms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 | |
| | LTO150F47R00JTE3 | 插件电阻-电阻器 | 47 Ohms ±5% 150W TO-247-2 通孔电阻器 汽车级 AEC-Q200，非电感 厚膜 | 在线订购 |
应用案例
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本期DigiKeyDaily 向大家推荐两款产品——Vishay 堆叠式聚合物钽电容器和AMD Xilinx Versal Premium 系列 VPK120 评估套件。 1 产品一：Vishay 堆叠式聚合物钽电容器 Vishay 堆叠式聚合物钽电容器 是一种可表面安装的解决方案，可为空间受限的应用提供最大的电容和电压。 许多设计需要使用高电容值来存储高能量。这通常是通过并联使用许多电容器来实现的。 在以体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命为主要考虑因素的应用中，钽聚合物技术通常
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Vishay近日发布了升级版的TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，专为IrDA®应用而设计。此次升级显著提升了模块的性能，使得链路距离延长了20%，并且其抗静电放电（ESD）能力提升至2 kV，从而在复杂环境中提供了更高的可靠性和稳定性。
资讯Vishay宣布推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块2024-03-14
日前，Vishay 宣布，推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持 115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为 1 米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。
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全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率MOSFET旨在进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用中的功率密度，并显著增强热性能，从而为用户带来更为出色的性能体验。
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