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P 沟道 MOSFET
Vishay 的 p 沟道 MOSFET （P-Channel MOSFETs）具有最低单位面积导通电阻，实现最小的 PCB
发布时间：2018-06-13
Vishay Siliconix p 沟道 TrenchFET® 第三代和第四代 MOSFET 是具有最低单位面积导通电阻的 p 沟道 MOSFET，仅为此前业内最佳值的一半。
最低单位面积导通电阻可实现最小的 PCB
更低的电压降提高了效率和电池运行时间
双通道器件使电池充电器设计能够降低潜在元件数
Vishay p 沟道 TrenchFET 第三代和第四代 MOSFET 具有各种各样的封装尺寸和导通电阻额定值，适合宽范围的应用。此外，低导通电阻可实现低导通损耗，节省电力和延长每次充电的电池使用寿命。
P 沟道 MOSFET特性
达到 p 沟道 MOSFET 的最低单位面积导通电阻，仅为此前业内最佳值的一半
SO-8 封装面积降至低于 2 mΩ
低导通损耗，节省电池供电型系统的电源
多种封装尺寸，从 PowerPAK SO-8® 到 1.6 mm x 1.6 mm PowerPAK SC-75 和 0.8 mm x 0.8 mm 芯片尺寸的 MICRO FOOT®
P 沟道 MOSFET应用
电池供电型设备
笔记本电脑、平板电脑
游戏机
消费电子
可穿戴设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI4435FDY-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | SI4435FDY-T1-GE3 | ￥2.33324 | 在线订购 |
 | | SI7111EDN-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETP-CH30V60A1212-8 | ￥1.97263 | 在线订购 |
 | | SI8823EDB-T2-E1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETP-CH20V2.7A4-MICROFOOT | ￥0.89231 | 在线订购 |
 | | SIA469DJ-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETP-CH30V12ASC70-6 | ￥2.08883 | 在线订购 |
 | | SI3473DDV-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | ￥1.12298 | 在线订购 |
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Vishay 推出采用超小型 MiniLED 封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装 LED。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08 和 VLMTG2332ABCA-08 外形尺寸为 2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮 InGaN 芯片技术，典型发光强度分别达到 440 mcd 和 2300 mcd，比上一代 PLCC-2 封装解决方案提高四倍。
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