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    BCPxT/BCPxH 系列晶体管

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管

    Nexperia 强大而高效的中等功率晶体管(BCPxT/BCPxH Series Transistors)采用 SOT223 SMD 塑料封装,通过了 AEC-Q101 标准鉴定

    发布时间:2018-11-26

    Nexperia 的 BCPxT 和 BCPxH 系列晶体管采用 SOT223 封装,非常适合中等功率应用。它们具有高功率耗散能力和高能效。该系列中有几个互补的 NPN 和 PNP 晶体管对,可满足从放大器到线性稳压器等多种消费产品需求。

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管特性

    • 高集电极电流能力 IC 和 ICM

    • 三种电流增益选择

    • 高功率耗散能力

    • 通过 AEC-Q101 标准鉴定

    BCPxT/BCPxH 系列晶体管应用

    1. 线性稳压器

    2. MOSFET 驱动器

    3. 高压侧开关

    4. 电源管理

    5. 放大器

    BCPxT/BCPxH Series Transistors
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    BCP53-10HX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223¥3.81240在线订购
    BCP53-10TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223¥3.55320在线订购
    BCP53-16HX通用三极管-晶体管80V,1A PNP中功率晶体管在线订购
    BCP53-16TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.8W SOT223¥0.65950在线订购
    BCP53HX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223¥1.94184在线订购
    BCP53TX通用三极管-晶体管通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223¥0.81980在线订购
    BCP56-10HX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223¥1.05128在线订购
    BCP56-10TF通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=600mW SOT223¥2.61209在线订购
    BCP56-10TX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223¥0.72810在线订购
    BCP56-16HX通用三极管-晶体管晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):725mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V 特征频率(fT):155MHz 工作温度:+175℃@(Tj)¥1.17731在线订购
    BCP56-16TF通用三极管-晶体管80V,1A NPN中功率晶体管在线订购
    BCP56-16TX通用三极管-晶体管 SC-73 1A 155MHz 1.8W¥0.40712在线订购
    BCP56HX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=725mW SOT223¥1.43468在线订购
    BCP56TF通用三极管-晶体管三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=600mW SOT223¥2.25310在线订购
    BCP56TX通用三极管-晶体管通用三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=63~250 P=1.8W SOT223¥0.66492在线订购

    应用案例

    • 资讯安世半导体荣获2023行家极光奖两项大奖2023-12-21

      2023 年 12 月 14 日,行家说碳化硅&氮化镓产业高峰论坛,暨 2023 行家极光奖颁奖典礼(2023 Hangjia Aurora Award)颁奖晚宴在深圳顺利举办,集结了数百家 SiC、GaN 企业代表来共同见证第三代半导体的蓬勃发展。Nexperia(安世半导体)荣获权威认证,将「SiC年度优秀产品奖」与「中国GaN 功率器件十强」两项大奖收入囊中,展现了其作为基础半导体全球领导者的强大实力与深耕三代半领域的决心。

    • 资讯MOSFET的并联使用2023-12-19

      MOSFET的并联使用

    • 资讯安世车规级MOSFET产品组合答疑回顾2023-12-15

      11 月 28 日,安世半导体 BG MOS 产品线高级应用经理方舟先生,为广大工程师带来了《Nexperia车规级 MOSFET - 提升 EV 驱动能效的绝佳选择》的网络研讨会,重点介绍了安世半导体最新车规级 MOSFET 产品,及其在新能源汽车车身和底盘中的应用。

    • 资讯Nexperia推用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍2022-11-21

      基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩展其适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合,推出 10 款全面优化的 25V 和 30V 器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的 RDS(on)相结合,非常适合用于 12V 热插拔应用,包括数据中心服务器和通信设备。  多年来,Nexperia(安世半导体)致力于将成熟的 MOSFET 专业知识和广泛的应用经验结合起来,增强器件中关键 MOSFET 的性能,满足特定应用的要求,以打造市场领先的

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    • 资讯PSC1065H:DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二极管产品介绍2023-12-19

      电子发烧友网站提供《PSC1065H:DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二极管产品介绍.pdf》资料免费下载

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    • 资讯安世半导体宣布推出新款GaN FET器件2023-12-13

      基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。

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