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    AFBR-S4N44C013 NUV-HD 硅光电倍增器 (SiPM)

    AFBR-S4N44C013 NUV-HD 硅光电倍增器 (SiPM)

    Broadcom 的 SiPM (NUV-HD Single Silicon Photomultiplier)适用于检测低水平脉冲光源

    发布时间:2018-11-26

    Broadcom 的 AFBR-S4N44C013 是单 SiPM 器件,用于单光子的超灵敏、高精度测量。
    有效面积为 3.72 mm x 3.72 mm。单芯片通过硅穿孔技术 (TSV) 技术实现了高封装密度。通过平铺多个 AFBR-S4N44C013 阵列来覆盖较大的区域,显着降低了任何边缘损失的可能性。钝化层采用低至 UV 波长的高透明度玻璃。这导致在可见光谱中响应广泛,对光谱中蓝色和近紫外区具有高灵敏度。
    该 SiPM 非常适用于检测低水平脉冲光源,特别是 Cherenkov 光或来自极为常见的有机塑料材料和无机闪烁材料的闪烁光,具体包括 LSO、LYSO、BGO、Nal、Csl、BaF 和 LaBr。

    AFBR-S4N44C013 NUV-HD 硅光电倍增器 (SiPM)特性

    • 420 nm 下的 PDE 超过 55%

    • 高填充系数

    • 出色的单光子时间分辨率和重合分辨时间

    • 出色的击穿电压均匀性:180 mV(3 sigma)

    • 极佳增益均匀性

    • TSV 技术(4 面拼合)

    • 尺寸:3.88 mm x 3.88 mm

    • 单元节距:30 μm × 30 μm

    • 高度透明的玻璃保护层

    • 工作温度范围:+20°C 至 +50°C

    • 符合 RoHS 规范


    AFBR-S4N44C013 NUV-HD 硅光电倍增器 (SiPM)应用

    1. X 射线和伽马射线检测

    2. 伽马射线光谱学

    3. 安防

    4. 核医学

    5. 正电子发射断层扫描

    6. 生命科学

    7. 细胞流量计

    8. 荧光 - 发光测量

    9. 时间相关单光子计数

    10. 高能物理

    11. 天体物理学

    AFBR-S4N44C013 NUV-HD Silicon Photomultiplier
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    应用案例

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