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    650 V 碳化硅肖特基二极管

    650 V 碳化硅肖特基二极管

    SMC Diode Solutions 的 650 V SiC 肖特基二极管(650 V Silicon Carbide Schottky Diodes)具有出色的效率和较低的系统成本

    发布时间:2018-09-13

    SMC Diode Solutions SICR5650、SICRB5650、SICRD5650 和 SICRF5650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外壳封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器,具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。它们是在挑战性环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。
    SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 是采用 TO-220AC、D2PAK、DPAK 和 ITO-220AC 外壳封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器,具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。SICR6650、SICRB6650、SICRD6650 和 SICRF6650 非常适用于挑战性环境中对能量敏感的高频应用。
    SICR10650 和 SICRF10650 是采用 TO-220AC 和 ITO-220AC 封装的单 SiC 肖特基整流器。这些器件是高压肖特基整流器,具有极低的总传导损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。SICR12600 和 SICRF12600 是在具有挑战性的环境中对能量敏感的高频应用的理想选择。

    650 V 碳化硅肖特基二极管特性

    • 175°C TJ 工作

    • 超低开关损耗

    • 开关速度与工作温度无关

    • 低总传导损耗

    • 高正向浪涌电流能力

    • 高封装隔离电压

    • 防护环带来更高的坚固性和长期可靠性

    • 无铅器件

    • 所有 SMC 零件都可追溯到晶圆批次

    • 可根据要求进行额外的电气和寿命测试

    650 V 碳化硅肖特基二极管应用

    1. 替代能源逆变器

    2. 功率因数校正 (PFC)

    3. 续流二极管

    4. 开关电源输出整流

    5. 反极性保护

    650 V Silicon Carbide Schottky Diodes
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