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    CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

    CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

    Wolfspeed 针对 LTE 通信功率放大器应用的 CGH27015 GaN HEMT(CGH27015 Gallium-Nitride (GaN) High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT))

    发布时间:2018-09-13

    Wolfspeed 的 CGH27015 是专为高效率、高增益和宽带宽功能而设计的 GaN HEMT,因而是 VHF 通信、3G、4G、LTE 和 2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA 放大器应用的理想选择。无与伦比的晶体管采用旋入式法兰封装。

    CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)特性

    • VHF:3.0 GHz 操作

    • 30 W 峰值功率能力

    • 15 dB 小信号增益

    • 4.0 W PAVE,EVM < 2.0% 时

    • 平均功率为 4 W 时,漏极效率为 28%

    • WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM

    • WiMAX 移动接入 802.16e OFDMA

    CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)应用

    放大器应用:

      1. VHF 通信

      2. 3G

      3. 4G

      4. LTE

      5. 2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA

    CGH27015 GaN HEMT
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    CGH27015FMOSFETs-晶体管RF MOSFET HEMT 28V 440166在线订购

    应用案例

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