U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET
Toshiba 的 U-MOSVIII-H 系列 60 V 和 100 V 工业 MOSFET (U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs)具备 RDS(on) 和低开关损耗,适用于工业和照明应用
发布时间:2018-09-13
Toshiba 60 V SSM3K341 和 100 V SSM3K361 是工业功率 MOSFET,具有低导通电阻,适合用于电视和工业照明中的负载开关。它们也是需要低到中等功率的工业自动化系统的理想选择。
对节能 LED 需求的不断增加,导致 N 沟道 MOSFET 越来越多地用作 LED 驱动器的开关。据 Toshiba 于 2016 年进行的公司内部研究报告,Toshiba 的 SSM3K341R 和 SSM3K361R 具有业界最佳的 SOT-23F 封装典型 RDS(ON) 额定值 (@VGS = 4.5 V),分别为 36mΩ 和 65mΩ。此外,两款器件均支持 +175°C 的最高通道温度,因此可用于各种具有挑战性的工业应用。它们还采用 UDFN6 封装,在体积更紧凑的同时仍通过底部的大型金属片提供出色的散热。
与先前的 Toshiba 产品相比,SOT-23F 封装减少了导通损耗产生的约 65% 的散热。与传统的 SOT-89 封装相比,这些 MOSFET 的小封装尺寸保持了相同的散热水平,同时将整体基底面减少了约 64%。TSOP6F 是类似 SSM6N815R 的高性能封装,包含两个100 V N 沟道 MOSFET。
U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET特性
小尺寸 N 沟道功率 MOSFET
行业标准 SOT-23F 封装
适用于 60 V/6 A 和 100 V/3.5 A 应用
耐高温,高达 +175 °C 通道温度
业内领先的导通电阻
SSM3K341R 和 SSM6K341NU 导通电阻是 36 mΩ(典型值)
SSM3K361R 和 SSM6K361NU 导通电阻是 65 mΩ(典型值)
U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET应用
高温工业和工业自动化
用于升压电路的同步/异步开关
电视屏幕白色 LED 背光
高电压负载/空载开关
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3K341R,LF | MOSFETs-晶体管 | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F | ¥1.56687 | 在线订购 | |
| SSM6K341NU,LF | MOSFETs-晶体管 | SSM6K341NU,LF | ¥4.96670 | 在线订购 | |
| SSM3K341TU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V | ¥1.16928 | 在线订购 | |
| SSM3K361R,LF | MOSFETs-晶体管 | SMALL-SIGNAL NCH MOSFET SOT23F Q | ¥1.54624 | 在线订购 | |
| SSM6K361NU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB | ¥1.51900 | 在线订购 | |
| SSM3K361TU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM | ¥3.66136 | 在线订购 | |
| SSM6N815R,LF | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | |||
| SSM6J801R,LF | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 P 通道 20 V 6A(Ta) 1.5W(Ta) 6-TSOP-F | ¥0.74735 | 在线订购 | |
| SSM3J356R,LF | MOSFETs-晶体管 | 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1mA | ¥1.17440 | 在线订购 | |
| SSM3J351R,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F | ¥1.64765 | 在线订购 |
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