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      型号：SSM3K7002FMOSFETs

      品牌：VBsemi

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
      编号：DS0142398
      1+￥0.272
      10+￥0.255
      50+￥0.2295
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      型号：SSM3K37FS,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT416

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：200mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
      编号：DS0078696

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      型号：SSM3K333RMOSFETs

      品牌：VBsemi

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
      编号：DS0142397
      1+￥0.488
      10+￥0.4575
      50+￥0.41175
      150+￥0.38125
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      型号：SSM3K341R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
      编号：DS0083716
      1+￥1.344
      30+￥1.296
      100+￥1.248
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      型号：SSM6N56FE,LMMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT666

      描述：
      VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
      编号：DS0102423

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      型号：SSM3J328R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=29.8mΩ SOT23F
      编号：DS0074276
      5+￥0.35644
      20+￥0.32607
      100+￥0.29569
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      型号：SSM3J358R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=22.1mΩ@8V SOT23F
      编号：DS0141830

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      型号：SSM3K345R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F
      编号：DS0141832

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      型号：SSM6N35FE,LMMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT666-6

      描述：
      High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
      编号：DS0102417
      5+￥0.48851
      20+￥0.44541
      100+￥0.4023
      500+￥0.3592
      1000+￥0.33908
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      型号：SSM3K123TU,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：UFM3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3
      编号：DS0074333

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      型号：SSM3K15AFS,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT416

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
      编号：DS0075169

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      型号：SSM3J334R,LF(TMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
      编号：DS0189814
      1+￥0.9918
      30+￥0.95395
      100+￥0.91609
      500+￥0.84038
      1000+￥0.80253
      2000+￥0.77981

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      型号：SSM3K15AFU,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT323

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
      编号：DS0078699

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      型号：SSM3J332R,LF(TMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
      编号：DS0189812
      5+￥0.40414
      20+￥0.37867
      100+￥0.35319
      500+￥0.32772
      1000+￥0.31584
      2000+￥0.30735

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      型号：SSM3K329R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：126mΩ@4V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
      编号：DS0074345

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      型号：SSM3J332R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
      编号：DS0075249
      5+￥0.53546
      20+￥0.48821
      100+￥0.44096
      500+￥0.39372
      1000+￥0.37167
      2000+￥0.35592

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      + 对比

      型号：SSM3J356R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
      编号：DS0074266
      1+￥2.56917
      30+￥2.48058
      100+￥2.30339
      500+￥2.12621
      1000+￥2.03762

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      + 对比

      型号：SSM3J338R,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
      编号：DS0083561
      1+￥1.14827
      30+￥1.10726
      100+￥1.06625
      500+￥0.98423
      1000+￥0.94322
      2000+￥0.91862

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      + 对比

      型号：SSM3K15AFS,LF(BMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SSM

      描述：
      东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
      编号：DS0189810
      5+￥0.42963
      20+￥0.40111
      100+￥0.3726
      500+￥0.34408
      1000+￥0.33077
      2000+￥0.32127

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      + 对比

      型号：SSM2019BRNZRL音频运算放大器

      品牌：ADI

      封装：SOICN8_150MIL

      描述：
      音频运算放大器 SOIC8_150MIL 10~36V,±5~±18V 1通道
      编号：IC0252200
      1+￥18.3
      10+￥16.8
      30+￥16.5

      现货：88（当天发货）

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      + 对比

      型号：SSM2167-1RMZ-R7音频运算放大器

      品牌：ADI

      封装：MSOP10_3X3MM

      描述：
      具有可变压缩和噪声门控的低压麦克风前置放大器
      编号：IC0123766
      1+￥11.28151
      10+￥10.79101

      现货：3（当天发货）

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      + 对比

      型号：SSM3K35MFV(TPL3)MOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT-723-3

      描述：
      High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
      编号：DS0078853
      5+￥0.4597
      20+￥0.41913
      100+￥0.37857
      500+￥0.33801
      1000+￥0.31908
      2000+￥0.30556

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      型号：SSM3J328R,LF(TMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
      编号：DS0189811
      1+￥1.8647
      30+￥1.8004
      100+￥1.6718
      500+￥1.5432
      1000+￥1.4789

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      + 对比

      型号：SSM6J511NU,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：UDFN6B_2X2MM_EP

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
      编号：DS0084141

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      型号：SSM3J132TU,LFMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：UFM3

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
      编号：DS0084151

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      型号：SSM3K324R,LF(TMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT23F

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
      编号：DS0141831

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      型号：SSM3K37MFV,L3FMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
      编号：DS0075163
      1+￥1.48448
      30+￥1.43329
      100+￥1.33091
      500+￥1.22854
      1000+￥1.17735

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      型号：SSM3J46CTB(TPL3)MOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：1T1A-2

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
      编号：DS0078886

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      型号：SSM3K35AMFV,L3FMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
      编号：DS0137407
      5+￥0.28892
      20+￥0.26343
      100+￥0.23793
      500+￥0.21244
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      型号：SSM3J56MFV,L3F(TMOSFETs

      品牌：Toshiba

      封装：SOT-723-3

      描述：
      Load Switching Applications
      编号：UN0000738
      5+￥0.70923
      20+￥0.64665
      100+￥0.58407
      500+￥0.5215
      1000+￥0.49229
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