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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：BORN

      封装：SOT-23

      描述：
      MOSFETs P-Channel SOT-23
      编号：DS0143714
      5+￥0.13275
      20+￥0.1215
      100+￥0.11025
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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=-20V VGS=±8V ID=-2.8A Pd=350mW SOT23
      编号：DS0143564
      10+￥0.10882
      50+￥0.10065
      200+￥0.09385
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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：YONGYUTAI

      封装：

      描述：
      编号：DS39699410
      50+￥0.057
      500+￥0.0513
      5000+￥0.0475
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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.25W
      编号：DS0138316
      20+￥0.09486
      200+￥0.08866
      600+￥0.08246
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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：BLUE ROCKET

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道 20V 2.8A
      编号：DS0189807
      1+￥0.12001
      100+￥0.11201
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      5000+￥0.0896

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      型号：SI2301MOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A
      编号：DS0188359
      1+￥0.12549
      100+￥0.11659
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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0145141
      1+￥0.08775
      10+￥0.0805
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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：BORN

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
      编号：DS0144948
      1+￥0.10657
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      30+￥0.09601

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      型号：SI2301ADSMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23
      编号：DS0143806
      1+￥0.22499
      100+￥0.20999
      300+￥0.19499
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      2000+￥0.1725
      5000+￥0.168

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      型号：SI2301-TPMOSFETs

      品牌：MCC

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道增强型场效应晶体管
      编号：DS0075398
      1+￥0.20299
      30+￥0.19599
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      500+￥0.168
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      型号：SI2301A-TPMOSFETs

      品牌：MCC

      封装：SOT-23

      描述：
      P-沟道 MOSFET SOT23
      编号：DS0182150
      1+￥0.1485
      100+￥0.1386
      300+￥0.1287
      500+￥0.1188
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      型号：SI2301CDSMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23
      编号：DS0143805
      1+￥0.1725
      10+￥0.1575
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      型号：SI2301DSMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23
      编号：DS0143474
      1+￥0.208
      10+￥0.2
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      型号：UMW SI2301BMOSFETs

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.5A Pd=350mW SOT23
      编号：DS0140434
      50+￥0.144
      500+￥0.1296
      5000+￥0.12
      10000+￥0.1152
      30000+￥0.1104
      50000+￥0.10752

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      型号：UMW SI2301AMOSFETs

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A Pd=400mW SOT23
      编号：DS0140427

      现货：0（当天发货）

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      型号：SI2301AI-MSMOSFETs

      品牌：MSKSEMI

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道 VDS=20V ID=3A PD=1W SOT23
      编号：DS0189916
      1+￥0.1026

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      型号：SI2301BDS-T1-E3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SOT-23

      描述：
      表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
      编号：DS0074290
      1+￥1.28707
      30+￥1.24438
      100+￥1.20168
      500+￥1.1163
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      型号：SI2301DS-T1-GE3MOSFETs

      品牌：VBsemi

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
      编号：DS0142348
      1+￥0.22164

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      + 对比

      型号：SI2301CDS-T1-E3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SOT-23

      描述：
      MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
      编号：DS0074255
      1+￥0.91924
      30+￥0.88641
      100+￥0.85358
      500+￥0.78792
      1000+￥0.75509
      2000+￥0.73539

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      型号：SI2301CDS-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SOT-23

      描述：
      表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
      编号：DS0074256
      10+￥0.37258
      50+￥0.34373
      200+￥0.3197
      600+￥0.29566
      1500+￥0.27643
      3000+￥0.26441

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      型号：SI2301BDS-T1-GE3MOSFETs

      品牌：Vishay

      封装：SOT-23

      描述：
      MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=2.4A
      编号：DS0078962
      1+￥1.61608
      10+￥1.45255
      50+￥1.32173
      150+￥1.23451
      300+￥1.18

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      型号：SI2301BDS-T1-GE3MOSFETs

      品牌：VBsemi

      封装：SOT-23

      描述：
      MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
      编号：DS0142346
      1+￥0.3248
      10+￥0.3045
      50+￥0.27405
      150+￥0.25375
      300+￥0.23954
      500+￥0.23345

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