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      + 对比

      型号：A30-110PTC自恢复保险丝

      品牌：JDT FUSE

      封装：FUSE_7.4X3MM_TM

      描述：
      PTC Vmax=30V Imax=40A Ih=1.1A Pd=700mW FUSE_7.4X3MM_TM
      编号：PD0009875
      5+￥0.23799
      20+￥0.21699
      100+￥0.19599
      500+￥0.175
      1000+￥0.1652
      2000+￥0.1582

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      型号：SMAJ110AESD抑制器/TVS二极管

      品牌：MDD

      封装：SMA(DO-214AC)

      描述：
      ESD抑制器/TVS二极管 PD=400W，VRM=110V，VBR=122～135V，VC=177V
      编号：DS0138907
      1+￥0.20999
      100+￥0.19599
      300+￥0.18199
      500+￥0.168
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      + 对比

      型号：IR2110PBF栅极驱动器

      品牌：Infineon

      封装：PDIP14_19.69X6.6MM

      描述：
      高低侧驱动
      编号：IC0011891
      1+￥9.89
      10+￥8.885
      50+￥8.081
      150+￥7.545
      300+￥7.21

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      + 对比

      型号：SSSS811101滑动开关

      品牌：ALPS

      封装：SW7_6.7X4.1MM_SM

      描述：
      滑动开关 300mA 300mA SPDT SW7_6.7X4.1MM_SM
      编号：SW0049190
      5+￥0.64
      20+￥0.58
      100+￥0.52
      500+￥0.46
      1000+￥0.432
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      「4500 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：SSAJ110100滑动开关

      品牌：ALPS

      封装：SW5_5.5X2.5MM_SM

      描述：
      滑动开关 SPDT SW5_5.5X3.8MM_SM 10000cycles
      编号：SW0049562
      1+￥1.156
      30+￥1.1135
      100+￥1.071
      500+￥0.986
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      2000+￥0.918

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      「5000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：SSSS811101滑动开关

      品牌：ALPS

      封装：SW7_6.7X4.1MM_SM

      描述：
      滑动开关 300mA 300mA SPDT SW7_6.7X4.1MM_SM
      编号：SW0049190
      5+￥0.53952
      20+￥0.52962
      100+￥0.50982

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      「4500 / 卷装(TR)」

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      型号：NCE82H110DMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-263(D²Pak)

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：82V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：200W
      编号：DS0142042
      1+￥2.7555
      10+￥2.505
      30+￥2.338
      100+￥2.0875
      500+￥1.9706
      1000+￥1.8871

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      + 对比

      型号：STP110N7F6MOSFETs

      品牌：ST

      封装：TO-220-3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=68V VGS=±20V ID=110A Pd=176mW TO220-3
      编号：DS0144848
      1+￥2.15469
      30+￥2.08039
      100+￥1.93179
      500+￥1.78319
      1000+￥1.70889

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      型号：FMMT491 100-300通用三极管

      品牌：JSCJ

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：60V 功率(Pd)：250mW NPN,Vceo=60V,Ic=1A
      编号：DS0143365
      1+￥0.16094
      100+￥0.14952
      300+￥0.13811
      500+￥0.1267
      2000+￥0.12099
      5000+￥0.11757

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      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BSMD1206-110-16VPTC自恢复保险丝

      品牌：BHFUSE

      封装：1206

      描述：
      PTC自恢复保险丝 1206 Vmax= 16V Pd=0.6W
      编号：PD0002969
      1+￥0.224
      30+￥0.216
      100+￥0.208
      500+￥0.192
      1000+￥0.184
      2000+￥0.1792

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      型号：Y1100K-E1I-B4-AC400V安规电容

      品牌：ZNRC

      封装：CAP_D6X3.4MM_TM

      描述：
      安规电容 CAP_D6X3.4MM_TM 10pF ±10% 400V Y5P
      编号：CA0545851
      20+￥0.1332
      200+￥0.1242
      500+￥0.1152
      1000+￥0.1062
      3000+￥0.1017
      6000+￥0.0954

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      型号：Y1101K-E14-B4-AC400V安规电容

      品牌：ZNR

      封装：CAP_D6.2X3.4MM_TM

      描述：
      安规电容 CAP_D6.2X3.4MM_TM 100pF ±10% Y5P
      编号：CA0545915
      20+￥0.14229
      200+￥0.13299
      500+￥0.12369
      1000+￥0.11439
      3000+￥0.10974
      6000+￥0.10323

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      型号：CY1102ME1IEF45W2A2安规电容

      品牌：Dersonic

      封装：CAP_D6.3X4.4MM_TM

      描述：
      安规电容 CAP_D6.3X4.4MM_TM 1nF ±20% 400V
      编号：CA0182873
      20+￥0.12408
      200+￥0.11528
      600+￥0.10648
      3000+￥0.09768

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      型号：IGW15T120FKSA1IGBT

      品牌：Infineon

      封装：TO-247-3

      描述：
      IGBT VCE=1200V IC=30A PD=110W PGTO247-3
      编号：DS0107427
      1+￥23.67484
      10+￥22.798
      100+￥20.16746
      500+￥19.64135

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      型号：SMBJ100AESD抑制器/TVS二极管

      品牌：MDD

      封装：SMB(DO-214AA)

      描述：
      ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W，VRM=110V，VBR=122～135V，VC=177V
      编号：DS0139000
      1+￥0.20255
      100+￥0.18905
      300+￥0.17555
      500+￥0.16204
      2000+￥0.15529
      5000+￥0.15124

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      + 对比

      型号：STP18N60M2MOSFETs

      品牌：ST

      封装：TO-220-3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±25V ID=13A Pd=110W TO220-3
      编号：DS0082310
      1+￥7.48346
      30+￥7.22541
      100+￥6.70931
      500+￥6.1932
      1000+￥5.93515

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      + 对比

      型号：STP15810MOSFETs

      品牌：ST

      封装：TO-220-3

      描述：
      MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=110A Pd=250mW TO220-3
      编号：DS0143942
      1+￥4.12

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      「50 / 管装(TUBE)」

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      + 对比

      型号：NCE6080KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
      编号：DS0143266
      1+￥1.144
      10+￥1.039
      30+￥0.969
      100+￥0.864
      500+￥0.815
      1000+￥0.78

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      「2500 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：NCEP85T11MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
      编号：DS0143366
      1+￥2.6
      10+￥2.4
      30+￥2.36

      现货：45（当天发货）

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      + 对比

      型号：NCEP40T11GMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：DFN8_5X6MM

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
      编号：DS0183233
      1+￥2.04639
      10+￥1.84839
      30+￥1.71639
      100+￥1.51839
      500+￥1.42599
      1000+￥1.35999

      现货：3705（当天发货）

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      + 对比

      型号：NCE6080AMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
      编号：DS0142034
      1+￥1.15001

      现货：5（当天发货）

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      + 对比

      型号：NCE6075KMOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO252

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
      编号：DS0143323
      1+￥1.4904
      10+￥1.4352
      100+￥1.2696
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      型号：STB15810MOSFETs

      品牌：ST

      封装：TO-263(D²Pak)

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：250W
      编号：DS0143220
      1+￥5.87412
      10+￥5.65656
      100+￥5.13442
      500+￥4.87335

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      + 对比

      型号：NCE30H10MOSFETs

      品牌：NCE

      封装：TO-220-3

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
      编号：DS0189413
      1+￥1.3775
      30+￥1.33
      100+￥1.235
      500+￥1.14
      1000+￥1.0925

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      + 对比

      型号：WSD14N10DNMOSFETs

      品牌：WINSOK

      封装：DFN8_3X3MM

      描述：
      N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V
      编号：DS0142505
      1+￥1.10214
      10+￥0.99684
      30+￥0.92664
      100+￥0.82134
      500+￥0.7722
      1000+￥0.7371

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      + 对比

      型号：SL60N06MOSFETs

      品牌：Slkor

      封装：TO-220-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
      编号：DS0142918
      1+￥2.16
      10+￥2.08
      100+￥1.888
      500+￥1.792

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      + 对比

      型号：BC846A通用三极管

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 档位：110-220
      编号：DS0138335
      1+￥0.03671
      100+￥0.03427
      300+￥0.03182
      500+￥0.02937
      2000+￥0.02815
      5000+￥0.02741

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      数据手册

      + 对比

      型号：BC846SF通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT363

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0140666

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