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      型号：IRLML6346TR(UMW)MOSFETs

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.4A 耗散功率(Pd)1.3W 阈值电压(Vgs(th))800mV@10uA 栅极电荷量(Qg)2.9nC
      编号：DS39712784
      1+￥0.21404
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      型号：2301PMOSFETs

      品牌：FM

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
      编号：DS0182222
      5+￥0.05886
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      型号：WPM2087-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-23

      描述：
      功率MOSFET 20V 3.6A 34mΩ@4.5V,5A 900mW 750mV@250uA 108pF@10V P Channel 1.182nF@10V 12nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
      编号：DS0187779
      5+￥0.46749
      20+￥0.42625
      100+￥0.385
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      + 对比

      型号：WPM2031-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-723-3

      描述：
      功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723
      编号：DS0187785
      10+￥0.30837
      100+￥0.27227

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      型号：AO3400MOSFETs

      品牌：LGE

      封装：SOT-23

      描述：
      N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
      编号：DS0145049
      10+￥0.26245
      100+￥0.2083
      600+￥0.18123
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      型号：YJL2312AMOSFETs

      品牌：YANGJIE

      封装：SOT-23

      描述：
      N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
      编号：DS0182673
      10+￥0.17289
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      型号：WNM2020-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-23

      描述：
      功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
      编号：DS0143241
      20+￥0.31939

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      型号：WPM2019-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-523-3

      描述：
      功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
      编号：DS0143419
      10+￥0.33801
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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0145141
      1+￥0.07977

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      型号：TPCJ2101MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142785
      10+￥0.29355

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      型号：TPDMP2160UWMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142789
      10+￥0.33792

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      型号：AO7407MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142791
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      型号：YJL2301GMOSFETs

      品牌：YANGJIE

      封装：SOT-23

      描述：
      P沟道增强型场效应晶体管 15V 2A 82mΩ@4.5V,1.5A 700mW 620mV@250uA 29pF@10V P Channel 260pF@10V 3.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L
      编号：DS0185971

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      型号：PMDT290UCE,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT666

      描述：
      类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
      编号：DS0103399

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      型号：TPNTK3134NT1GMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142783
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      型号：PMF63UNEXMOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC-70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0080757

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