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      型号：LM358运算放大器

      品牌：MSKSEMI

      封装：SOIC-8

      描述：
      通用放大器 Vcc=40V Vs=±20V Vi=300mV~40V Pd=400mW
      编号：IC62892290
      1+￥0.14751
      100+￥0.1379
      300+￥0.12828
      500+￥0.11866
      2000+￥0.11385
      5000+￥0.11097

      现货：8609（当天发货）

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      + 对比

      型号：LM324N运算放大器

      品牌：TI

      封装：PDIP-14

      描述：
      四路、30V、1.2MHz、3mV 失调电压运算放大器
      编号：IC0119902
      1+￥1.63454
      10+￥1.50283
      100+￥1.39091

      现货：254（当天发货）

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      + 对比

      型号：LM224AN运算放大器

      品牌：TI

      封装：PDIP-14

      描述：
      工作温度为 -25°C 至 85°C 的四通道、30V、1.2MHz、3mV 失调电压运算放大器
      编号：IC0333855
      1+￥1.44361

      现货：3（当天发货）

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      「25 / 管装(TUBE)」

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      + 对比

      型号：LMDL914T1G开关二极管（小信号）

      品牌：LRC

      封装：SOD-323

      描述：
      开关二极管（小信号） SOD323-2 VF: 1000mV Pd: 200mW
      编号：DS0141681
      20+￥0.048
      200+￥0.0448
      600+￥0.0416
      3000+￥0.0384

      现货：800（当天发货）

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      + 对比

      型号：LM224N运算放大器

      品牌：TI

      封装：PDIP-14

      描述：
      工作温度为 -25°C 至 85°C 的四通道、30V、1.2MHz、3mV 失调电压运算放大器
      编号：IC0301496
      5+￥2.17178
      50+￥1.68668
      150+￥1.50028

      现货：300（当天发货）

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      + 对比

      型号：LM358P运算放大器

      品牌：TI

      封装：PDIP8_10.16X6.6MM

      描述：
      双通道、30V、700kHz、3mV 失调电压运算放大器
      编号：IC0301250
      1+￥1.14201
      10+￥1.1
      50+￥0.91191
      250+￥0.81077

      现货：1570（当天发货）

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      「50 / 管装(TUBE)」

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      + 对比

      型号：L1SS226LT1G开关二极管（小信号）

      品牌：LRC

      封装：SOT-23

      描述：
      开关二极管（小信号） SOT23-3 VF: 1200mV I(o): 100mA Pd: 150mW
      编号：DS0142722
      50+￥0.08001
      600+￥0.06318
      1200+￥0.06223
      3000+￥0.05229

      现货：2009（当天发货）

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      + 对比

      型号：HIR26-21B/L423/CT红外接收头

      品牌：Everlight

      封装：1206

      描述：
      红外发射管 λp=850nm VF=1.45V Pd:130mV View Angle:20
      编号：ST0084746
      5+￥0.79997
      50+￥0.63994

      现货：61（当天发货）

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      + 对比

      型号：BAV99开关二极管（小信号）

      品牌：Coretong

      封装：SOT-23-3

      描述：
      开关二极管（小信号） VR=70V IF=1mA VF(max)=715mV PD=225mW Trr=6ns SOT23-3
      编号：DS0190686
      5+￥0.03528
      20+￥0.03465
      100+￥0.03339

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      型号：IRLML6346TR(UMW)MOSFETs

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.4A 耗散功率(Pd)1.3W 阈值电压(Vgs(th))800mV@10uA 栅极电荷量(Qg)2.9nC
      编号：DS39712784
      1+￥0.21404
      10+￥0.21083
      100+￥0.18697

      现货：1305（当天发货）

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      + 对比

      型号：BAV70开关二极管（小信号）

      品牌：Coretong

      封装：SOT-23-3

      描述：
      开关二极管（小信号） VR=70V IF=1mA VF(max)=715mV PD=225mW IR=2.5µA@70V SOT23-3
      编号：DS0190685
      5+￥0.03467
      20+￥0.03403
      100+￥0.03276

      现货：1905（当天发货）

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      + 对比

      型号：WNM2020-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-23

      描述：
      功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道
      编号：DS0143241
      5+￥0.30258

      现货：5（当天发货）

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      型号：WPM2019-3/TRMOSFETs

      品牌：WILLSEMI

      封装：SOT-523-3

      描述：
      功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
      编号：DS0143419
      10+￥0.37446
      100+￥0.29596

      现货：213（当天发货）

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      + 对比

      型号：S9013 SOT23通用三极管

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143623
      20+￥0.0481
      200+￥0.04474
      600+￥0.04137
      3000+￥0.03801

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      型号：L2SC1623QLT1G通用三极管

      品牌：LRC

      封装：SOT-23

      描述：
      NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：150mV@100mA,10mA 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0183384
      50+￥0.0748
      500+￥0.0704
      2000+￥0.0616
      5000+￥0.0572
      15000+￥0.0528
      30000+￥0.0506

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      型号：LBC817-25WT1G通用三极管

      品牌：LRC

      封装：SOT-323(SC-70)

      描述：
      NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：150mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz
      编号：DS0183155
      1+￥0.10656
      30+￥0.10271
      100+￥0.09886
      500+￥0.09116
      1000+￥0.08731
      2000+￥0.085

      现货：2859（当天发货）

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      型号：LBC846BDW1T1G通用三极管

      品牌：LRC

      封装：SOT-363

      描述：
      2个NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：380mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz
      编号：DS0183152
      20+￥0.1683
      300+￥0.1324
      1200+￥0.11138
      3000+￥0.09737

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      + 对比

      型号：MMBT3904通用三极管

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143563
      50+￥0.03745
      600+￥0.02983
      1200+￥0.02938
      3000+￥0.02291

      现货：6610（当天发货）

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      型号：PMST3904,115通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323

      描述：
      SOT323晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
      编号：DS0110460
      20+￥0.12438
      300+￥0.09792
      1200+￥0.08254
      3000+￥0.07487

      现货：1503（当天发货）

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      + 对比

      型号：S8550 SOT23通用三极管

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143632
      1+￥0.04668
      100+￥0.04359
      300+￥0.0405
      500+￥0.03741
      2000+￥0.03586
      5000+￥0.03494

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      + 对比

      型号：S8050 SOT23通用三极管

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143628
      1+￥0.04929
      100+￥0.04603
      300+￥0.04276
      500+￥0.0395
      2000+￥0.03786
      5000+￥0.03689

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      型号：BC847C(1G)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：420@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN
      编号：DS0144431
      50+￥0.077
      150+￥0.0645
      1000+￥0.052
      5000+￥0.047

      现货：768（当天发货）

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      + 对比

      型号：MMBT2222A通用三极管

      品牌：TWGMC

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143560
      50+￥0.0737
      600+￥0.05763
      1200+￥0.05677
      3000+￥0.04831

      现货：1241（当天发货）

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      + 对比

      型号：S9015通用三极管

      品牌：CBI

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143534
      50+￥0.05786

      现货：324（当天发货）

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      + 对比

      型号：MMDT3946DW通用三极管

      品牌：CBI

      封装：SOT-363

      描述：
      晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143530
      10+￥0.09344
      50+￥0.08643
      200+￥0.08059
      600+￥0.07475
      1500+￥0.07008
      3000+￥0.06716

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      型号：BC846A通用三极管

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 档位：110-220
      编号：DS0138335
      50+￥0.05527

      现货：242（当天发货）

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      型号：S9015通用三极管

      品牌：CBI

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143534
      50+￥0.05786

      现货：50（当天发货）

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      型号：BCP55-16,115通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-223

      描述：
      SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V
      编号：DS0110641
      5+￥0.70005
      20+￥0.63828
      100+￥0.57651
      500+￥0.51474
      1000+￥0.48592
      2000+￥0.46533

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      型号：2SC1623 L5通用三极管

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：135@1mA,6V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：+150℃@(Tj) L5(135~270)
      编号：DS0143547
      5+￥0.05679
      50+￥0.04422
      150+￥0.03724

      现货：185（当天发货）

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      型号：2SA1213Y通用三极管

      品牌：SK

      封装：SOT89-3

      描述：
      直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70 500mA,2V 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 1A,50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：2A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：PNP PNP
      编号：DS0143794
      10+￥0.1705
      100+￥0.1595
      500+￥0.1485
      2000+￥0.132
      5000+￥0.1265
      10000+￥0.1232

      现货：848（当天发货）

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      型号：S9012通用三极管

      品牌：CBI

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143532
      50+￥0.0393
      500+￥0.03537
      5000+￥0.03275
      10000+￥0.03144
      30000+￥0.03013
      50000+￥0.02934

      现货：0（当天发货）

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      型号：TPCJ2101MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142785
      10+￥0.29355

      现货：60（当天发货）

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      型号：BC807-40通用三极管

      品牌：UMW

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0185990
      20+￥0.10053
      300+￥0.07826
      1200+￥0.07709
      3000+￥0.06668

      现货：1602（当天发货）

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      型号：2SD596通用三极管

      品牌：SK

      封装：SOT-23

      描述：
      直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50 700mA,1V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：220mV 700mA,70mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 特征频率(fT)：170MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：0.7A 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) 晶体管类型：NPN
      编号：DS0143782
      1+￥0.06
      100+￥0.056
      300+￥0.052
      500+￥0.048
      2000+￥0.046
      5000+￥0.0448

      现货：0（当天发货）

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      型号：BC846B通用三极管

      品牌：YANGJIE

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0188963
      50+￥0.13212
      600+￥0.09036
      1200+￥0.089

      现货：980（当天发货）

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      型号：BC807-40通用三极管

      品牌：Hottech

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0138321
      50+￥0.10567

      现货：133（当天发货）

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      型号：8050D(1.5A)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：TO92-3

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=25V,Ic=1.5mA,hfe=160~300
      编号：DS0144835
      1+￥0.0648
      10+￥0.0618

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      型号：8550D(1.5A)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：TO92-3

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：120MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=25V,Ic=1.5mA,hfe=160~300
      编号：DS0144444
      1+￥0.0713
      10+￥0.0651
      30+￥0.06386

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      型号：TPDMP2160UWMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142789
      10+￥0.33792

      现货：90（当天发货）

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      型号：S9018通用三极管

      品牌：CBI

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：50mA 集射极击穿电压(Vceo)：15V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：105@1mA,5V 特征频率(fT)：600MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
      编号：DS0143535
      50+￥0.0931
      600+￥0.07286
      1200+￥0.07177
      3000+￥0.05566

      现货：2765（当天发货）

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      + 对比

      型号：BC817-40通用三极管

      品牌：YANGJIE

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0182704
      20+￥0.15723
      300+￥0.12831
      1200+￥0.12639
      3000+￥0.1226

      现货：2958（当天发货）

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      + 对比

      型号：AO7407MOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-323

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj)
      编号：DS0142791
      10+￥0.37985
      100+￥0.30541
      600+￥0.26818
      1200+￥0.26416
      3000+￥0.21582

      现货：1321（当天发货）

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      型号：2SD1624通用三极管

      品牌：SK

      封装：SOT89-3

      描述：
      直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：32 100mA,2V 集电极截止电流(Icbo)：1μA 功率(Pd)：2.5W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 2A,0.2A 集射极击穿电压(Vceo)：30V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：3A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：NPN
      编号：DS0143786
      1+￥0.285
      100+￥0.266
      300+￥0.247
      500+￥0.228
      2000+￥0.2185
      5000+￥0.2128

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      型号：2SC1815G通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：TO92-3

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400
      编号：DS0144439
      50+￥0.06149
      500+￥0.05534
      5000+￥0.05124
      10000+￥0.0492
      30000+￥0.04715
      50000+￥0.04592

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      型号：9012H通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：TO92-3

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：625mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：177@50mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-30V,Ic=-500mA,hfe=177~250
      编号：DS0144437
      50+￥0.06526
      500+￥0.05873
      5000+￥0.05438
      10000+￥0.05221
      30000+￥0.05003
      50000+￥0.04873

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      型号：SI2301SMOSFETs

      品牌：MDD

      封装：SOT-23

      描述：
      类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0145141
      1+￥0.07977

      现货：0（当天发货）

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      型号：MMBTA06WT1G通用三极管

      品牌：ON

      封装：SOT-323

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：150mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0110427
      50+￥0.2475
      500+￥0.22275
      5000+￥0.20625
      10000+￥0.198
      30000+￥0.18975
      50000+￥0.1848

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      型号：BC847B(1F)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~450
      编号：DS0144432
      50+￥0.1044
      600+￥0.08253
      1200+￥0.08129
      3000+￥0.07434

      现货：3034（当天发货）

      +-

      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BC846B(1B)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=-65V,Ic=-100mA,hfe=200~450
      编号：DS0144837
      1+￥0.05871

      现货：0（当天发货）

      +-

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      + 对比

      型号：SBC847BLT1G通用三极管

      品牌：ON

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0111859
      1+￥0.60723
      30+￥0.58629
      100+￥0.54441
      500+￥0.50253
      1000+￥0.48159

      现货：0（当天发货）

      +-

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      + 对比

      型号：MMBTSC945P(CR)通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400
      编号：DS0144433
      50+￥0.09939
      600+￥0.08011
      1200+￥0.07891
      3000+￥0.06245

      现货：2965（当天发货）

      +-

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      + 对比

      型号：TPNTK3134NT1GMOSFETs

      品牌：TECH PUBLIC

      封装：SOT-723-3

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0142783
      50+￥0.1455
      500+￥0.13095
      5000+￥0.12125
      10000+￥0.1164
      30000+￥0.11155
      50000+￥0.10864

      现货：0（当天发货）

      +-

      「8000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：9015C通用三极管

      品牌：ST(先科)

      封装：TO92-3

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：450mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA,hfe=200~600
      编号：DS0144443
      1+￥0.0705
      100+￥0.0658
      300+￥0.0611
      500+￥0.0564
      2000+￥0.05405
      5000+￥0.05264

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      型号：BCP68,115通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-223

      描述：
      SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@2A,200mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：85@500mA,1V
      编号：DS0110670
      5+￥3.53359
      50+￥3.06436

      现货：57（当天发货）

      +-

      「1000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BCX70H,215通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-23

      描述：
      SOT23-3晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：550mV@50mA,1.25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@2mA,5V
      编号：DS0111787
      5+￥2.39999
      20+￥2.17499
      100+￥1.94999
      500+￥1.725
      1000+￥1.62
      2000+￥1.545

      现货：0（当天发货）

      +-

      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BCP56-16HX通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-223

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：725mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V 特征频率(fT)：155MHz 工作温度：+175℃@(Tj)
      编号：DS0140495

      现货：0（当天发货）

      +-

      「1000 / 卷装(TR)」

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      型号：BC807-40LWX通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0140642

      现货：0（当天发货）

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      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BC807-25LWX通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0140634

      现货：0（当天发货）

      +-

      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：MMBTA92,215通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-23

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：250nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@1mA,10V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0113161

      现货：0（当天发货）

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      「3000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：BC846SF通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-363

      描述：
      晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：110@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0140666

      现货：0（当天发货）

      +-

      「5000 / 卷装(TR)」

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      + 对比

      型号：PMDT290UCE,115MOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT666

      描述：
      类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
      编号：DS0103399

      现货：0（当天发货）

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      型号：BC807-25LWF通用三极管

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323

      描述：
      晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
      编号：DS0140633

      现货：0（当天发货）

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      型号：PMF63UNEXMOSFETs

      品牌：Nexperia

      封装：SOT-323(SC-70)

      描述：
      类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
      编号：DS0080757

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