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晶体管 ST STR2N2VH5
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供应商器件封装 | SOT-23-3 |
包装 | 卷带（TR） |
FET 类型 | N 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA（最小） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Tj） |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
零件状态 | 在售 |
基本产品编号 | STR2N2 |
系列 | STripFET™ V |
漏源电压（Vdss） | 20 V |
功率耗散（最大值） | 350mW（Tc） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 3000 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 367 pF @ 16 V |
Vgs（最大值） | ±8V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6 nC @ 4.5 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 2A，4.5V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 20 V 2.3A（Tj） 350mW（Tc） SOT-23-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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