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SRAM存储器 Samsung K4B4G1646E-BYMA 替代

数量国内含税
1+¥21.90100
10+¥20.09100
30+¥19.72900
100+¥18.64300

券30000-500券10000-200券5000-100
1

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日):1个工作日内

库存:
168 (1起订)
批次:
3年内

数量:
X21.901(单价)「卷装(TR)/2000」
总价:
¥ 21.901

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产品分类

SRAM存储器

封装/外壳

FBGA96_7.5X13.3MM

最大时钟频率

933MHz

存储容量

4Gb

工作电压(范围)

1.425V~1.575V

存储器格式

DRAM

工作温度

0℃~+95℃

安装类型

SMT

技术

SDRAM-DDR3L

是否无铅

Yes

系列

K4B4G1646E

零件状态

Active

原始制造商

Samsung Electro-Mechanics

原产国家

Korea

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

13.30 x 7.50mm

高度

1.10mm

存储温度

-55~+100℃

元件生命周期

Active

引脚数

96Pin

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商品介绍

4Gb E-die DDR3L SDRAM专用x16 FBGA96

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:0603WAF1001T5E
品牌:Uniohm
封装/规格:0603
¥0.00396
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近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:K4B4G1646E-BYMA
SRAM存储器
SRAM存储器 Samsung K4B4G1646E-BYMA
数据手册 168(1起订)

¥21.90100 ▼

数量国内含税

1 +¥21.90100

10 +¥20.09100

30 +¥19.72900

100 +¥18.64300

当前型号加入购物车
品牌:Nanya
PIN to PIN
SRAM存储器
数据手册 59(10起订)

¥10.11802 ▼

数量国内含税

1 +¥10.11802

10 +¥9.28182

30 +¥9.11458

K4B4G1646E-BYMA(Samsung)和NT5CC256M16ER-EK(Nanya)的区别
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MKR3256M1688MBD-107是一款4Gb DDR3L SDRAM,具有32Mb x 8 banks x 16 bits I/O。工作电压为1.35V,支持DDR3L-1866速度。封装为7.5x13.5mm 96球FBGA。
--- 5(10起订)

¥17.86320 ▼

数量国内含税

1 +¥17.86320

10 +¥17.45280

30 +¥17.18280

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品牌:ISSI
PIN to PIN
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IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
--- 2(起订)

¥66.92360 ▼

数量国内含税

1 +¥66.92360

K4B4G1646E-BYMA(Samsung)和IS43TR16256BL-125KBLI(ISSI)的区别
品牌:
PIN to PIN
特殊专用逻辑
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品牌:
PIN to PIN
SRAM存储器
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K4B4G1646E-BYMASamsung 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 ickey 等渠道进行代购。 K4B4G1646E-BYMA 价格参考¥ 21.901 。 Samsung K4B4G1646E-BYMA 封装/规格: FBGA96_7.5X13.3MM, 4Gb E-die DDR3L SDRAM专用x16 FBGA96。你可以下载 K4B4G1646E-BYMA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 SRAM存储器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: K4B4G1646E-BYMA

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