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SRAM存储器 Samsung K4B2G1646F-BYMA 替代

数量国内含税4折
1+¥31.27000 ¥12.50800
10+¥25.87001 ¥10.34800
30+¥22.86000 ¥9.14400
112+¥18.73001 ¥7.49200
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产品分类

SRAM存储器

封装/外壳

FBGA96

最大时钟频率

1.866GHz

存储容量

2Gb

工作电压(范围)

1.35V

存储器格式

DRAM

工作温度

0℃~+85℃

安装类型

SMT

是否无铅

Yes

零件状态

Active

原始制造商

Samsung Electro-Mechanics

原产国家

Korea

认证信息

RoHS,HF(Halogen Free)

长x宽/尺寸

13.30 x 7.50mm

高度

1.00mm

存储温度

-55~+100℃

元件生命周期

Active

引脚数

96Pin

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商品介绍

2Gb F-die DDR3L SDRAM x16

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
购买
数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:0603WAF1001T5E
品牌:Uniohm
封装/规格:0603
¥0.00396
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:K4B2G1646F-BYMA
SRAM存储器
SRAM存储器 Samsung K4B2G1646F-BYMA
--- 993(1起订)

¥31.27000 ▼

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1 +¥31.27000

10 +¥25.87001

30 +¥22.86000

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448 +¥17.31000

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K4B2G1646F-BYMASamsung 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 ickey 等渠道进行代购。 K4B2G1646F-BYMA 价格参考¥ 31.27 。 Samsung K4B2G1646F-BYMA 封装/规格: FBGA96, 2Gb F-die DDR3L SDRAM x16。你可以下载 K4B2G1646F-BYMA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 SRAM存储器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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