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MOSFETs DIODES DMN30H4D0LFDE-7

  • 品       牌:DIODES(美台)
  • 型       号: DMN30H4D0LFDE-7
  • 商品编号: G3522642
  • 封装规格: 6-PowerUDFN
  • 商品描述: 表面贴装型 N 通道 300 V 550mA(Ta) 630mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)

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供应商器件封装

U-DFN2020-6(E 类)

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

550mA(Ta)

封装/外壳

6-PowerUDFN

基本产品编号

DMN30

系列

-

漏源电压(Vdss)

300 V

功率耗散(最大值)

630mW(Ta)

安装类型

表面贴装型

技术

MOSFET(金属氧化物)

标准包装

3000

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

187.3 pF @ 25 V

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.6 nC @ 10 V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

4 欧姆 @ 300mA,10V

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.7V,10V

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

零件状态

在售

资质

-

等级

-

商品介绍

表面贴装型 N 通道 300 V 550mA(Ta) 630mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01154
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01319
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:DMN30H4D0LFDE-7
单 FET,MOSFET
MOSFETs DIODES DMN30H4D0LFDE-7
数据手册 0(1起订)
---
当前型号询价

DMN30H4D0LFDE-7DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN30H4D0LFDE-7 价格参考¥ 0.61 。 DIODES DMN30H4D0LFDE-7 封装/规格: DFN2020-6, 。你可以下载 DMN30H4D0LFDE-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: DMN30H4D0LFDE-7

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