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MOSFETs TI CSD25202W15
数量 香港价格 国内价格 3000+ $0.22008 ￥1.80016 6000+ $0.21457 ￥1.75515 9000+ $0.20800 ￥1.70135 15000+ $0.19720 ￥1.61302 21000+ $0.19080 ￥1.56071 30000+ $0.18995 ￥1.55371
| 数量 | 香港价格 | 国内价格 |
| 3000+ | $0.22008 | ￥1.80016 |
| 6000+ | $0.21457 | ￥1.75515 |
| 9000+ | $0.20800 | ￥1.70135 |
| 15000+ | $0.19720 | ￥1.61302 |
| 21000+ | $0.19080 | ￥1.56071 |
| 30000+ | $0.18995 | ￥1.55371 |
- 商品详情
- 技术文档
供应商器件封装 | 9-DSBGA |
包装 | 卷带（TR） |
FET 类型 | P 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.05V @ 250µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
封装/外壳 | 9-UFBGA，DSBGA |
零件状态 | 在售 |
基本产品编号 | CSD25202 |
系列 | NexFET™ |
漏源电压（Vdss） | 20 V |
功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 3000 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1010 pF @ 10 V |
Vgs（最大值） | -6V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5 nC @ 4.5 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 2A，4.5V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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