
描述:
该AT45DB321是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。它的34603008位的存储器被组织为8192页528字节每个。除了在主存储器中, AT45DB321还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。
特点:
1、单2.7V - 3.6V电源
2、串行接口架构
3、页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 8192页( 528字节/页)主内存
4、可选页和块擦除操作
5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许数据的接收,同时重新编程
非易失性存储器
6、内部的计划和控制的定时器
7、快速页编程时间 - 7毫秒典型
8、120 µš典型的页面,以缓冲传输时间
9、低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 3µ一种CMOS待机电流典型
10、13 MHz的最大时钟频率
11、硬件数据保护功能
12、串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容输入和输出
14、商用和工业温度范围
AT45DB321E-MWHF-T电路图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 引脚图
AT45DB321E-MWHF-T 封装图
AT45DB321E-MWHF-T 封装图
Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进行读写;与并行Flash存储器相比,所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简单、工作可靠,所以串行Flash存储器越来越多...
本文给出的是用于大型光伏系统运行状态监测的数据采集存储电路,由于采用表面贴片工艺制作,整个电路板的宽度仅为18毫米,就像使用U盘一样方便。
Texas Instruments SN74AVC1T45/SN74AVC1T45-Q1总线收发器是一款单位非反相总线收发器,使用两个可配置的电源轨。SN74AVC1T45
SN74AVC1T45设计用于两条数据总线之间的异步通信。方向控制(DIR)输入的逻辑电平激活B端口输出或A端口输出。
合作伙伴! E5062A主要指标: E5062A频率:300K-3G 欧姆 *T/R 或 S 参数综合测试仪 *50 或 75 欧姆测试端口阻抗 *120 dB 的动
本应用笔记是关于如何布局Maxim T3/E3线路接口单元(LIU)网络接口的指南。该指南以DS315x产品为例。本应用笔记也适用于其他Maxim T3/E3产品。
) 放掉的电能ΔE=E1-E2=45-5=40(焦耳) 假设以恒定功率P瓦放电,放电时间t=E/P=40/P(秒 fqj
本应用笔记提供了使用达拉斯半导体/Maxim通信产品T1/E1单芯片收发器(SCT)和T1/E1成帧器的小数T1和E1电路设计示例。
AD8802 | AD5664R | AD8541 | ADP1050 |
AD8061 | ADCMP392 | AD7352 | ADT7517 |
AD813 | ADP1753 | ASM3P2760A | AD9764 |
ADuM131E | ATECC608A | AD8567 | ADR360 |
AD1974 | AD8346 | AT90CAN32 | ADL5910 |
元器件业务:
0731-85350837
0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务:
0755-83688678
周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外
投诉电话:19925199461
微信公众平台
搜索:hqchip001
型号搜索订单查询