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描述：
该AT45DB161是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其17301504位存储器组织为4096页528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB161还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。
特点：
1、单2.7V - 3.6V电源
2、串行接口架构
3、页编程操作
- 单周期重新编程（擦除和编程）
- 4096页（ 528字节/页）主内存
4、可选页和块擦除操作
5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
6、内部的计划和控制的定时器
7、快速页编程时间 - 7毫秒典型
8、120 µš典型的页面，以缓冲传输时间
9、低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 3µ一种CMOS待机电流典型
10、13 MHz的最大时钟频率
11、硬件数据保护功能
12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容输入和输出
14、商用和工业温度范围
AT45DB161E-MHD-T电路图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 引脚图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
AT45DB161E-MHD-T 封装图
在我们的工作中，经常会用到“dB”这个单位。比如插损，回波损耗，功率，我们经常会用xx dB，或者xx dBm 来描述。
因此，该Dataflash存储容量大，读写速度快，抗干扰能力强，在行驶记录仪中作存储器是较好的选择。本文给出了采用ATMEL的AT45DB161B来存储数据的记录仪设计方案。
为0.5 (LSB)、1、2、4和8。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.3 dB，IIP3为+45 dBm。控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入。HMC1019ALP4E具有用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他ADI控制组件。
HMC941ALP4E是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。在0.1到33.0 GHz频率下运行，插入损耗低于4 dB典型值。对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。
...品和技术线，已经连续25年不断演进，持续创新。如今，RMHD为大众的娱乐生活带来
E-GaN电源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推荐
为±0.003%。 转换器具有 具有85 dB的优良共模信号抑制比的差分模拟输入，使得 ADC161S626适合噪音环境。
| AD5725 | ADAU1373 | ADUM3481 | ADM3485E |
| AD8051 | ADM208 | ADG849 | ATMEGA48 |
| ADF4154 | at89c2051-12pu | AT88SC6416CRF-MX1 | ADuM251N |
| ADG3308 | AD7091R | ADAU1977WBCPZ | AD8023 |
| ADCLK925 | AD8333 | AD5693R | ADUM1201BRZ-RL7 |
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