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This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a verticalDMOSstructure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN2450 封装图
VN2450 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN2450N3-G | SiTime | 有源晶振 ±35ppm 3V 135MHz SMD3225_6P | 立即购买 |
| VN2450N8-G | SUNTSU | 无源晶振 100Ω 32MHz 8pF ±15ppm -20℃~+70℃ SMD1612_4P | 立即购买 |
设备常面临精度不足、操作复杂、多参数协同控制困难等问题，尤其在纳米级器件、低功耗电路等场景中，微小电流/电压信号的准确捕捉成为技术瓶颈。吉时利2450数字源表（以下简称“2450”）以其突破性的技术设计，为高精度IV测试提供了全
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