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This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
VN2224 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN2224N3-G | Maxim | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8UMAX | 立即购买 |
描述： PW2224是一款专为锂电池供电设备设计的高效单电感降压-升压转换器。这款转换器能够在3V至4.2V的锂电池输入电压范围内工作，实现升降压模式自动切换，稳定输出3.3V电压，并持续提供高达
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