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This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain

VN0104 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN0104N3-G-P013 | EDAC | 887 SERIES (.156" (3.96MM) CONTA | 立即购买 |
| VN0104N3-G | Maxim | IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8UMAX | 立即购买 |
西班牙巴塞罗那当地时间2月27日上午,紫光展锐联合中国联通、通则康威、广和通等生态合作伙伴,共同发布中国联通第二代5G CPE—VN009及中国联通雁飞eSIM模组—VN200。紫光展锐CEO任奇伟、联通华盛副总经理陈丰伟、通则康威CEO单建新、广和通市场部副总裁朱涛等发表致辞。
合发布LTECat1bis模组雁飞VN200。联通华盛副总经理陈丰伟、紫光展锐CEO任奇伟、广和通市场部VP朱涛出席发布仪式并致辞,共同见证产品发布。广和通联合中国联通、紫光展
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TXB0104:4位双向电压电平转换器的技术剖析 在电子设计领域,电平转换是一个常见且关键的需求。当不同电压域的设备需要进行通信时,合适的电平转换器就显得尤为重要。TI公司的TXB0104便是这样
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VNA(Vector Network Analyzer, 矢量网络分析仪)的信号源在测试时产生一个连续扫频的正弦波,以此激励被测物(DUT,device under test),之后测量DUT的反射信号和传输信号。
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