描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存终止，具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流 外部跟踪最少的外部组件数0.9V 至 6V 转换电压D-CAP+ 模式架构支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM轻量级负载与重负载下的优化效率可选 600kHz 或者1MHz 开关频率可选过流限制 (OCL)过压、过热和断续欠压保护可调输出电压范围为 0.45V 至 2V3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装 应用用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器 VTT 终止 用于 0.9V 至 6V 输入电源轨的低电压应用All trademarks are the property of their respective owners.