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This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 2.0V max.
High input impedance
Low input capacitance - 50pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

TN0106 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0106N3-G-P013 | MERITEK | 贴片电阻 0402 5.11KΩ ±1% 1/16W ±100ppm/℃ | 立即购买 |
| TN0106N3-G-P003 | Knowles | 贴片电容(MLCC) 0805 10pF ±5% 63V C0G(NP0) | 立即购买 |
| TN0106N3-G | Aker | 有源晶振 7.372800 MHz 3.3V -40℃~+85℃ HCMOS | 立即购买 |
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配电系统是将电能从电源分配到各个用电设备的系统,它在电力系统中起着至关重要的作用。根据接地方式的不同,配电系统可以分为多种类型,其中TN系统、TT系统和IT系统是三种常见的接地系统。 一、配电系统
三大供电系统TN、TT、IT系统的特点及安装要求,TT系统多用于农村低压电网,TN系统有一点直接接地,电气设施的外露可导电部分用保护线与该点连接,IT电力系统的带电部分与大地间不直接连接,而电气设施的外露可导电部分则是接地的。
TN系统:电源变压器中性点接地,设备外露部分与中性线相连。TT系统:电源变压器中性点接地,电气设备外壳采用保护接地。T系统:电源变压器中性点不接地(或通过高阻抗接地),而电气设备外壳电气设备外壳采用保护接地。