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The TURBOSWITCH "R" is an ultra high performance diode.
This TURBOSWITCH family, which drastically cuts losses in associated MOSFET when run at high dIF/dt, is suited for HF OFF-Line SMPS and DC/DC converters.
turboswitch“R”是一个超高性能的二极管。
这turboswitch家庭，大大减少损失相关的MOSFET当运行在高性/药物疗法，适用于高频离线开关电源和DC/DC变换器。
Designed for high frequency applications.
Hyperfast recovery competes with GaAs devices.
Allows size decrease of snubbers and heatsinks.
主要特点
高频应用设计。
超高速恢复竞争与GaAs器件。
允许缓冲器和散热器的尺寸减小。
STTH30R03电路图
STTH30R03 引脚图
STTH30R03 封装图
STTH30R03 封装图
NTMD3P03和NVMD3P03采用双SOIC - 8封装，具备 - 3.05 A的连续漏极电流和 - 30 V的漏源电压，适用于多种功率应用。其中，NVMD3P03R2G通过了AEC - Q101认证，并且
就来深入探讨Onsemi公司的NTMD4N03和NVMD4N03这两款N沟道双MOSFET，看看它们在低电压、高速开关应用中能带来怎样的表现。 文件下载： NTMD4N03R2-D.PDF 产品特性 低
这两款N沟道双MOSFET，以其出色的性能和特性，在低电压、高速开关应用中表现卓越。接下来，我们将对这两款MOSFET进行全面解析。 文件下载： NTMD4N03R2-D.PDF 产品特性 低导通电
了解一下安森美（onsemi）推出的NTMD3P03和NVMD3P03这两款双P沟道MOSFET，看看它们有哪些独特的特性和应用场景。 文件下载： NTMD3P03R2-D.PDF 产品概述
Si24R03是一款高度集成的低功耗SOC芯片，具有低功耗、Low Pin Count、宽电压工作范围，集成了13/14/15/16位精度的 ADC、LVD、UART、SPI、I2C、TIMER
在电子工程领域，VBUS开关的性能对于电子设备的稳定运行至关重要。很多中层管理者在实际工作中，常常会遇到VBUS开关方面的各种问题，今天就来和大家深入探讨这些问题，并介绍一款能有效解决问题的产品——HKTQ30P03P沟道MOSFET。
R30D RVDT（旋转可变差动变压器）是一款直流操作非接触式角位移传感器。凭借内置信号调理器，R30D 可通过双极 ±15 VDC 电源进行操作，并提供与满量程范围成比例的高电平直流输出
深圳芯晶图电子技术有限公司，品牌：美浦森售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持SLV3400NSOT-2330V5.6ASLV3404NSOT-2330V5.6ASLV2304NSOT-2330V3.6ASLV3406NSOT-2330V4ASLN30N03TNDFN3X330V30ASLN30D03TNDFN3X330V30ASLD40N03
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