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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二极管是一种超高性能的功率肖特基二极管。它是使用碳化硅衬底制造的。宽禁带材料允许的肖特基二极管结构的设计与600伏的评级。由于肖特基结构没有恢复是在关断和铃声模式显示可以忽略不计。最小的电容关断行为是独立的温度。
ST SiC二极管将促进在硬开关条件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC boost diode
主要特点
没有或可以忽略不计的反向恢复
温度开关行为
专用PFC升压二极管
STPSC406电路图
STPSC406 引脚图
STPSC406 封装图
STPSC406 封装图
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电路给出了如何使用MAX406 CMOS运算放大器的高输入阻抗来缓冲pH探头的极高输出阻抗。获得的优势是使用标准的低成本电缆而不是高成本的特氟龙介质同轴电缆。电池消耗非常低，以至于电路可以在单个锂电池上连续供电数千小时。
另悉，在2023年全年，国产手机品牌的出货总量达到了2.31亿部，同比微增1.1%，占据了79.9%的市场份额；而上市的新机型有406款，同比增加了5.5%，占比也上升至92.1%。
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