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High voltage dual Schottky rectifier suited to switch mode power supplies and other power converters.
Packaged in DPAK, this device is intended for use in medium voltage operation, and particularly, in high frequency circuits where low switching losses are required.
适用于开关电源和其它功率转换器的高压双肖特基整流器。
采用DPAK，此设备是用于中等电压操作，特别是在高频电路中的开关损耗低的要求。
Negligible switching losses
Low forward voltage drop
Low capacitance
High reverse avalanche surge capability
Tape and reel packing
ECOPACK®2 compliant component for DPAK on demand
主要特点
可忽略的开关损耗
低正向压降
低电容
高反向雪崩浪涌能力
磁带和卷轴包装
®Ecopack 2兼容的组件的DPAK封装的需求
STPS660CB电路图
STPS660CB 引脚图
STPS660CB 封装图
STPS660CB 封装图
点击蓝字关注我们前情提要THELATESTINFORMATION对于802.1CB协议，不同建模时的保护能力建模仿真分析测试冗余网络的配置；IEEE802.1CB是TSN标准中的无缝冗余协议，保证
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骁龙630作为骁龙625的继承人，骁龙630处理器完全继承了前者的定位，主打主流性能的中端机型，较Adreno 506有了30%的性能提升。骁龙660采用了14nm工艺制造，并且配备了八核Kryo核心作为性能保障。高通承诺骁龙660在性能上要比骁龙653还有20%的提升。
骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。骁龙660采用了14nm工艺制造，并且配备了八核Kryo核心作为性能保障。高通承诺骁龙660在性能上要比骁龙653还有20%的提升。
天玑1100对比骁龙660参数 当前，手机市场上的芯片种类繁多，主流的有高通的骁龙系列、联发科的天玑系列等。今天我们就来对比一下 天玑1100和骁龙660 两款芯片的参数，看看它们之间的优劣势
天玑1100和660参数对比 天玑1100和660号称是联发科技在2021年发布的旗舰芯片，它们的核心技术和原理都是非常高端的。天玑1100作为后期登场的芯片，其竞争对手将是高端旗舰芯片中的巅峰
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骁龙660是高通公司新出的6系中端处理器，那么它的性能究竟如何呢？操作方法01首先我们来看看骁龙660与653以及16年的旗舰芯片821的对比。从图中可以看到，660除了核心数量与653持平外，其余各项几乎超越了653，再制造工艺、RAM以及LET方面与821持平。
| STTH802 | STTH4R02 | STPS60H100C | STCN75 |
| SSM2603 | STPS2H100RL | STPS30L30C | SST26WF040B |
| SST25VF020 | SSM4567 | STTH8R03DJF | SM73201 |
| STTH16L06C | STPS20L25C | STK672-430AN-E | SMP04 |
| SN54HC273-DIE | STM8S003F3P6 | SST26WF040BA | STPS5L60 |
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