NXH80B120H2Q0SG

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Power Integrated Module, SiC Diode + IGBT, 1200 V, 40 A

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

The NXH80B120L2Q0SG is a power module containing a dual boost stage consisting of two 40A/1200V IGBTs, two 15A/1200V SiC diodes,and two 25A/1600V anti-parallel diodes for the IGBTs. Two additional 25A/1600V bypass rectifiers used for inrush current limit are included. An on-board thermistor is included.

IGBT Specifications: VCE(SAT) = 2.2 V, ESW = 2180 uJ
25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes
SiC Rectifier Specification: VF = 1.4 V
Solderable Pins
Dual Boost 40 A / 1200 V IGBT + SiC Rectifier Hybrid Module
Thermistor

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NXH80B120H2Q0SG	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
Dual Boost Power Module	PDF	156	点击下载
PIM22, 55x32.5 / Q0BOOST	PDF	65	点击下载

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