NV25080

购买收藏

8-Kb SPI Serial CMOS EEPROM - Automotive Grade 0 (+150°C)

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

NV25080 are 8Kb Serial CMOS EEPROM Automotive grade devices internallyorganized as 1Kx8 bits. It features a 32−byte page write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial communication with the NV25xxx device. The device features software and hardware write protection, including partial as well as full array protection. Byte Level On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable for high reliability applications. The device offers an additional Identification Page which can be permanently write protected.

Automotive Temperatures Grade0: -40°C to +150°C/VCC = 2.5V to 5.5V
SOIC and TSSOP 8-Lead and Wettable Flank UDFN 8−pad Packages
20/ 10 MHz SPI Compatible
SPI Modes (0,0) & (1,1)
32-byte Page Write Buffer
Self-timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
- Protect ¼, ½ or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
100 Year Data Retention
Additional Identification Page with Permanent Write Protection
NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site andChange Control
Program/Erase Cycles: 4,000,000 at 25°C;1,200,000 at +85°C;600,000 at +125°C;300,000 at +150°C;
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant

在线购买

型号	制造商	描述	购买
NV25080DTHFT3G	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
TSSOP8, 4.4x3	PDF	54	点击下载
64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM	PDF	200	点击下载

应用案例更多案例

内华达州批准NV综合资源计划，计划于2024年上线
美国内华达州公用事业委员会于近日批准了NV能源公司的综合资源计划，包括三个共1190 MW的太阳能项目以及590 MW的储能项目，其中一项或许是世界上最大的太阳能+储能设施之一。
2020-02-09
NV卡皇RTX 3090的性能表现如何，超过上代数据中心级Tesla V100
从@APISAK最新爆料的情况看，RTX 3090的CUDA为232429分，而在Geekbench CUDA分排行榜中，RTX 3090 超过了上代的数据中心级Tesla V100，领先幅度为11%，创造了新纪录。配合其完成设备搭载了i9-10900K和32GB内存。
2020-09-19
NV612X GaNFast™ 功率半导体器件的热处理
介绍最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片，用于降低封装的热阻和提高散热性能。这种封装使高密度电源的设计更加可靠，特别是对于没有气流的全封闭充电器和...
2020-03-31
纳微NV613x和NV615x系列额定电压已升级到700V，实现更高效率和可靠性
...N) 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。 GaN是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快...
2022-05-05
Mobileye NV利用英特尔的技术开发激光传感器
据国外媒体报道，Mobileye NV正在利用母公司英特尔的芯片制造技术开发激光传感器。该公司表示，到2025年，自动驾驶汽车的价格将变得足够低廉，可以在消费者中普及开来。
2021-01-12
采用NV611X系列氮化镓（GaN）进行电源设计热处理及PCB layout 注意事项
介绍 GaN功率集成电路提供超低电容，优良的开关特性，低RDS（ON），封装在一个小QFN封装里。这些特性使GaN非常适合在高频下工作，并支持高密度电源设计。为了充分利用GaN的这些优势，必须对GaN功率集成电路的热管理进行合...
2020-03-20
关于NV612X GaNFast™ 功率半导体器件的热处理
最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm 的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片，用于降低封装的热阻和提高散热性能。这种封装使高密度电源的设计更加可靠，特别是对于没有气流的全封闭充电器和适配...
2020-07-16
锁相放大相机在NV色心成像中的应用
NV色心（氮-空位色心）是金刚石中由氮原子和邻近空位形成的缺陷，其基态能级在外磁场作用下产生劈裂，在此基础上通过光探测磁共振（ODMR）可检测磁场强度。本文提出一种基于锁相放大相机的NV色心磁成像
2025-05-19

系列产品索引查看所有产品

NLSF595	NBA3N200S	NCP300	NB3N4666C
NCV1455	NUF2230	NCP1219	NB7L86M
NUF4310	NB7L585	NCV809	N34TS04
NCP331	NCP1351	NSS60201SMT	NB6L72M
NUF6401MN	NCV70501	NV24C128WF	NCP1365

元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}