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NDS0605

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 P沟道增强模式场效应晶体管

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻,提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0605 在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用,并且可提供高达1A的脉冲电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。
  • -0.18 A, -60 V. R
  • = 5 Ω @ V
  • = -10 V.
  • 电压控制的P沟道小信号开关。
  • 高密度单元设计可实现极低的 R
  • 高饱和电流。

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NDS0605-F169-- 立即购买
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SOT-23PDF80 点击下载
P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF295 点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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NB100LVEP221NBC12429NCP81381NCP392C
NSIC2030JBNC7ST86NCS1002ANCL30288
NCV8163NCV7341NCN5121NCV33064
NLSV4T240NCP3901NC7SU04NLSX3373
NCP148NB7L32MNLSX4014NLSX3018
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