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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| NC7SP04P5X | - | - | 立即购买 |
| NC7SP04FHX | - | - | 立即购买 |
| NC7SP04L6X | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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| IBIS | UNKNOW | 35 | 点击下载 |
| IBIS | UNKNOW | 43 | 点击下载 |
| IBIS | UNKNOW | 49 | 点击下载 |
| SC-88A (SC-70 5 Lead), 1.25x2 | 58 | 点击下载 | |
| UDFN6 1x1, 0.35P | 86 | 点击下载 | |
| SIP6 1.45X1.0 | 74 | 点击下载 | |
| NC7SP04-D.pdf | 765 | 点击下载 | |
| Portability and Ultra Low Power TinyLogic® | 156 | 点击下载 |
TPS7H60x3-SP系列辐射加固型GaN FET栅极驱动器的技术剖析与应用指南 在电子工程师的设计领域中,高性能、高可靠性的器件是实现优秀设计的关键。今天我们来深入探讨德州仪器(TI)推出
TI TPS7H60x3-SP:适用于太空应用的氮化镓场效应晶体管栅极驱动器 引言 在电子工程师的设计领域中,尤其是涉及到太空应用时,对器件的性能、稳定性和抗辐射能力有着极高的要求。德州仪器(TI
onsemi NTMTS0D7N04C N沟道MOSFET:高效功率解决方案 在电子设计领域,功率MOSFET是不可或缺的组件,对于提升系统效率和性能起着关键作用。今天,我们将深入探讨onsemi
探索 onsemi NTMYS7D3N04CL 单通道 N 沟道功率 MOSFET 在电子设计领域,功率 MOSFET 是至关重要的元件,它广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。今天,我们将
在电子设计领域,选择合适的元件对于实现高性能和可靠性至关重要。今天我们来深入探讨 onsemi 的 NC7SZU04A,这是一款来自 Ultra - High Speed 系列的 TinyLogic 单非缓冲反相器,特别适用于晶体振荡器或模拟应用。
TPS7H60x3-SP 系列抗辐射保证 (RHA) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 栅极驱动器专为高频、高效率应用而设计。该系列包括 TPS7H6003-SP(额定电压 200V
TPS7H4001-SP 是一款抗辐射性保证的 7V、18A 同步降压转换器,集成了低电阻高侧和低侧 MOSFET。通过电流模式控制实现高效率和减少元件数量。 输出电压启动斜坡由 SS/TR
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