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| NB3N1200KMNG | ON | NB3N1200KMNG | 立即购买 |
| NB3N1200KMNTXG | ON | NB3N1200KMNTXG | 立即购买 |
onsemi碳化硅JFET晶体管UJ3N065080K3S技术解析 作为电子工程师,在设计电路时,选择合适的功率器件至关重要。今天要和大家分享的是安森美(onsemi)推出的高性能G3碳化硅(SiC
onsemi碳化硅JFET UJ3N065025K3S:高性能功率器件的技术剖析 在功率电子领域,碳化硅(SiC)器件凭借其卓越的性能逐渐成为主流。今天,我们就来深入剖析一下安森美(onsemi
onsemi碳化硅JFET UJ3N120065K3S:高性能功率器件的卓越之选 在功率半导体器件领域,碳化硅(SiC)技术凭借其出色的性能表现逐渐崭露头角。今天,我们就来深入探讨一下安森美
。UJ3N120035K3S采用TO247 - 3封装,具备1200V的耐压能力和35mΩ的典型导通电阻,这种低导通电阻和低栅极电荷的特性,使得该器件在导通和开关过程中
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7,TO-247封装分立器件,可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号:IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
若按照往例,NB-IoT必须等到整个3GPP R13底定时,随整个3GPP R13标准一起发表,不过此次却一反往例,3GPP于2016年6月22日,宣布已完成NB-IoT标准的订立。
近日,有方科技NB-IoT模组N21-EA顺利通过GCF(Global Certification Forum)测试并获得认证,成为有方又一款通过该认证的NB-IoT模组,这将为N21-EA拓展海外市场提供有力保障。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术,利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。