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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| N34TS04MT3ETG | ON | EEPROM&TEMPSENSOR8TDFN | 立即购买 |
| N34TS04MU3ETG | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
|---|---|---|---|
| UDFN8, 2x3, 0.5P, Extended Pad | 33 | 点击下载 | |
| TDFN8, 2x3, 0.5P | 33 | 点击下载 | |
| Digital Output Temperature Sensor with On-board SPD EEPROM | 132 | 点击下载 |
国产电压基准源对标REF34XX/ADR34XX的模拟I/O模块替换方案
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET,该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点,广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
HKTD120N04是一款采用PDFN5×6封装的N沟道增强型MOSFET,具有40V耐压能力和120A连续电流承载能力。这款工业级产品的核心优势在于其一点7mΩ的极低导通电阻和超高电流密度,能够以
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET,该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点,广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET,该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点,广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:木村 岳史,以下简称“特瑞仕”)开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作为功率器件的新系列。
在电子设备的设计中,功率MOSFET是至关重要的元件,它对设备的性能和效率有着深远的影响。今天,我们要深入探讨的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL单N沟道功率MOSFET,看看它有哪些独特的特性和优势。
在电子工程师的日常设计中,MOSFET 作为关键的功率开关器件,其性能优劣直接关系到整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的 NTMFS0D7N04XM 这款 N 沟道功率 MOSFET,看看它究竟有哪些独特之处。
| NC7SZ374 | NCV7728 | NCL30051 | NCV8402AD |
| NCP1248 | NB6LQ572M | NTMFD5C674NL | NCV70514 |
| NIS5431 | NSPM8151 | NB3L14S | NCV8445 |
| NTMFD5C470NL | NC7SV19 | NLHV18T3244 | NCV7691 |
| NVMFD5C446NL | NLSV8T240MUTAG | NCP1255 | NCP1366 |