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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| N25S830HAT22I | ON | N25S830HAT22I | 立即购买 |
| N25S830HAS22I | ON | 安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件,其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器,内部组织为 8 K 个词,每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造,速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行,并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚,可实现与要暂停器件的通信。暂停后,输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行,采用若干标准封装。 | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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| 256 kb Low Power Serial SRAMs | 92 | 点击下载 | |
| SOIC-8 | 36 | 点击下载 | |
| Medical Solutions Brochure | 4096 | 点击下载 | |
| TSSOP 8 LEAD 3.0x4.4x1.1 mm | 68 | 点击下载 |
晶心科技为提供32及64位高效能、低功耗、精简RISC-V CPU处理器核心的领导供货商,今日宣布其Corvette-F1 N25平台领先成为取得Amazon FreeRTOS资格的RISC-V平台之一。
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NVTFS4C25N单通道N沟道功率MOSFET全解析 作为电子工程师,在设计电路时,功率MOSFET的选择至关重要,它直接影响着电路的性能、效率和稳定性。今天就来深入探讨安森美(onsemi
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The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diodeoptically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.•
4N25 4N28波形电路图
4N25 4N28电路图(A)
4N25 4N28电路图(B)