N25S818HA

购买收藏

Serial SRAM Memory, 256-kb, 1.8 V

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

The ON Semiconductor serial SRAM family includes several integrated memory devices including this 256 kb serially accessed Static Random Access Memory, internally organized as 32 k words by 8 bits. The devices are designed and fabricated using advanced CMOS technology to provide both high-speed performance and low power. The devices operate with a single chip select (CS) input and use a simple Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus. A single data in and data out line is used along with a clock to access data within the devices. The N25S818HA devices include a HOLD pin that allows communication to the device to be paused. While paused, input transitions will be ignored. The devices can operate over a wide temperature range of -40°C to +85°C and can be available in several standard package offerings.

1.7 to 1.95 V power supply range
Very low standby current - typical Isb as low as 200 nA
Very low operating current - as low as 3 mA
Simple memory control: single chip select (CS), serial input (SI) and serial output (SO)
Flexible operating modes: word read and write, page mode (32 word page), and burst mode (full array)
32 K x 8 bit organization
Self timed write cycles
Built-in write protection (CS high)
HOLD pin for pausing communication

在线购买

型号	制造商	描述	购买
N25S818HAT21I	ON	安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。	立即购买
N25S818HAS21I	ON	安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
256 kb Low Power Serial SRAMs	PDF	147	点击下载
SOIC-8	PDF	36	点击下载
Medical Solutions Brochure	PDF	4096	点击下载
TSSOP 8 LEAD 3.0x4.4x1.1 mm	PDF	68	点击下载

应用案例更多案例

高可靠NOR Flash PY25Q128HA-SUH电网应用解析
普冉半导体 PY25Q128HA-SUH 作为一款 128Mbit串行 NOR Flash，成功应用于基于飞腾 D2000 的国产电力终端中。该芯片支持133MHz Quad SPI，待机电流8μA
2026-01-28
PY25Q128HA在便携式超声诊断仪中的应用与优势
PY25Q128HA 凭借其低功耗架构（深度掉电 1.0μA）、高可靠性（10 万次擦写 / 20 年保留）及快速读写性能（0.5ms 页编程），成为便携式超声诊断仪NOR Flash的优选方案。满
2025-06-27
新品发布 | SA818Pro 对讲模块：支持无线数据收发传输
思为无线 SA818Pro 作为 SA818S的加强版，它集成高速微控制器、高性能射频收发芯片与功放，收发频率独立，新增轻量级数据收发功能，兼顾语音对讲与数据传输。小体积高性价比，轻松嵌入各类终端设备。
2026-02-09
三星Galaxy S25/S25+发布 AI赋能引领手机新潮流
在今日凌晨的三星Galaxy全球新品发布会上，三星Galaxy S25系列震撼登场，其中Galaxy S25和Galaxy S25+凭借出色的性能与创新设计备受瞩目。外观上，Galaxy S25
2025-01-24
Qorvo®利用紧凑型5G天线技术加速n258频段的5G网络部署
Qorvo今日宣布，通过使用新的砷化镓（GaAs）前端模块（FEM）---QPF4010，使得开发在频段n258（24.25至27.5GHz）中工作的5G基站变得更加轻松。
2019-12-04
深入解析 NTMFS6H818N：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选
深入解析 NTMFS6H818N：高性能 N 沟道 MOSFET 的卓越之选在电子工程领域，MOSFET 作为关键的功率器件，广泛应用于各类电路设计中。今天，我们将深入探讨安森美（onsemi
2026-04-11
onsemi NTMFS6H818NL MOSFET：高效性能与紧凑设计的完美结合
着整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）推出的 NTMFS6H818NL 单通道 N 沟道功率 MOSFET。文件下载： NTMFS6H818NL-D.PDF 产品概述
2026-04-11
深入解析 onsemi NVMFS6H818N 功率 MOSFET
深入解析 onsemi NVMFS6H818N 功率 MOSFET 在电子设计领域，功率 MOSFET 作为关键的半导体器件，广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来详细解析
2026-04-09

系列产品索引查看所有产品

元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}