N01S818HA

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Serial SRAM Memory, Ultra-Low-Power, 1 Mb, 1.7 - 2.2 V

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

The ON Semiconductor serial SRAM family includes severalintegrated memory devices including this 1Mb serially accessed StaticRandom Access Memory, internally organized as 128 K words by8 bi t s . The devices are designed and fabricated usingON Semiconductor’s advanced CMOS technology to provide bothhigh-speed performance and low power. The devices operate with asingle chip select (CS) input and use a simple Serial PeripheralInterface (SPI) protocol. In SPI mode, a single data-in (SI) anddata-out (SO) line is used along with the clock (SCK) to access datawithin the device. In DUAL mode, two multiplexed data-in/data-out(SIO0-SIO1) lines are used and in QUAD mode, four multiplexeddata-in/data-out (SIO0-SIO3) lines are used with the clock to accessthe memory.The devices can operate over a wide temperature range of −40°C to+85°C and are available in a 8-lead TSSOP package.

1.7 to 2.2 V
- Single-bit SPI Access
- DUAL-bit and QUAD-bit SPI-like Access
- Word Mode - Page Mode- Burst Mode (Full Array)
- Clock Frequency 20 MHz
Built-in Write Protection (CS High)
- Unlimited Write Cycles
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant- Green TSSOP

电路图、引脚图和封装图

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型号	制造商	描述	购买
N01S818HAT22I	ON	安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。	立即购买
N01S818HAT22IT	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
TSSOP8 3x4.4 / TSSOP8(225mil)	PDF	49	点击下载
1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM	PDF	126	点击下载
Serial SRAM Application Drawing	UNKNOW	19	点击下载
TSSOP8 4.4x3.0	PDF	33	点击下载

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