MJ11015

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30 A, 120 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The MJ11015 (PNP); MJ11012 and MJ11016 (NPN) are complementary devices.

High DC Current Gain - h
= 1000 (Min) @ I
- 20 Adc
Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistor
Junction Temperature to +200°C

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型号	制造商	描述	购买
MJ11015G	ON		立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
High-Current Complementary Silicon Transistors	PDF	115	点击下载
Saber Model	UNKNOW	183	点击下载
PSpice Model	UNKNOW	170	点击下载
Spice2 Model	UNKNOW	170	点击下载
Spice3 Model	UNKNOW	170	点击下载
TO-204 (TO-3)	PDF	32	点击下载

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