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The MCP87000 family of high-speed MOSFETs have been designed to optimize the trade-off between ultra-low On-state resistance (Rds-on) and Gate Charge (Qg) to maximize power conversion efficiency in switched mode power supplies.
Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON))
Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-DrainCharge (QGD)
Low Series Gate Resistance (RG)
Fast Switching
Capable of Short Dead-Time Operation
ROHS Compliant
MCP87030 封装图
MCP87030 封装图
MCP87030 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCP87030T-U/MF | Vishay | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | 立即购买 |
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产品特点 传输时间扩展 40ps； 抗磁性3T； 光电阴极Hi-QE； 门控可选； 8mm、16mm或18mm使用直径。 技术信息 Photonis的MCP-PMT具有高线性度特性，在光电burst
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