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MC10EP29电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC10EP29MNG | ON | IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 20QFN | 立即购买 |
| MC10EP29DTG | ON | 立即购买 |
解密型号 MC56F8122VFAE MC56F82348MLH MC56F84462VLH MC56F1668VLH MC56F84766VLH MC
在电子设计领域,功率 MOSFET 是至关重要的元件,它广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天,我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 单通道 N 沟道功率 MOSFET,看看它有哪些独特之处。
据数码博主爆料,在升级到基于Android 10系统的One UI 2.0之后,三星Galaxy S10系列手机获得了Note10+的15W无线快充,并且需要搭配立式无线加速充电底座2019(EP-N5200)才能使用。
在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 作为关键的功率器件,其性能和特性直接影响着整个电路的运行效率和稳定性。今天,我们就来详细剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 这款 100V、3.9mΩ、138A 的单 N 沟道功率 MOSFET。
日前,京瓷分立式半导体SMD封装产品EP/EC/NS系列全面更新,对应的新系列名为MP/ME/MC系列,我们为大家详细地讲解了该系列产品特点。 本期,我们将和大家一起走近京瓷推出的新SBD MA
直接数字频率合成(Direct Digital Frequency Synthesis)是从相位概念出发直接合成所需波形的一种新的频率合成技术。目前各大芯片制造厂商都相继推出采用先进的CMOS工艺生产的高性能和多功能的DDS芯片(其中应用较为广泛的是AD公...
由表3可推导出数据从00H~FFH范围的总点亮时间,如表4所示。在19T时间内,最大点亮时间可达近16T, 占总时间的84.21%,远大于“8场原理”的25%。数据每增1,点亮时间增加了T/16 ,该值大于“8场原理”的T/128。所以 ,“19场原理”...
上节介绍了MC_MoveSuperImposed功能块,可在一个基础运动,比如MC_MoveRelative或MC_MoveAbsolute的基础上,叠加一个增量式运动。叠加的运动可以被
| MCP3201 | MC10LVEP16 | MIC4224 | MOC223M |
| MC74HC259A | MC10EP01 | MC74HC390A | MTCH108 |
| MC33074 | MIC38HC44 | MCP14A0052 | MIC2184 |
| MIC4608 | MCP1256 | MIC2772 | MCP37231-200 |
| MCP3008 | MC74LVXT4052 | MC100LVEL33 | MP34DT01 |