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MC100LVEL11电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC100LVEL11MNR4G | ON | MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。此器件的功能与器件 E111 相似,但其性能更高。与 E111 相比,LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进,非常适合需要最高交流性能的应用。LVEL11 的差分输入采用箝位电路,从而在开路输入条件下保持稳定。如果输入为开路(拉至 VEE),则 Q 输出将变为低电平。 | 立即购买 |
| MC100LVEL11DTR2G | ON | MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。此器件的功能与器件 E111 相似,但其性能更高。与 E111 相比,LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进,非常适合需要最高交流性能的应用。LVEL11 的差分输入采用箝位电路,从而在开路输入条件下保持稳定。如果输入为开路(拉至 VEE),则 Q 输出将变为低电平。 | 立即购买 |
| MC100LVEL11DR2G | ON | MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。此器件的功能与器件 E111 相似,但其性能更高。与 E111 相比,LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进,非常适合需要最高交流性能的应用。LVEL11 的差分输入采用箝位电路,从而在开路输入条件下保持稳定。如果输入为开路(拉至 VEE),则 Q 输出将变为低电平。 | 立即购买 |
| MC100LVEL11DTG | ON | MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。此器件的功能与器件 E111 相似,但其性能更高。与 E111 相比,LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进,非常适合需要最高交流性能的应用。LVEL11 的差分输入采用箝位电路,从而在开路输入条件下保持稳定。如果输入为开路(拉至 VEE),则 Q 输出将变为低电平。 | 立即购买 |
| MC100LVEL11DG | ON | MC100LVEL11 是一款差分 1:2 扇出缓冲器。此器件的功能与器件 E111 相似,但其性能更高。与 E111 相比,LVEL11 在器件内部的歪曲率和输出转换时间上明显改进,非常适合需要最高交流性能的应用。LVEL11 的差分输入采用箝位电路,从而在开路输入条件下保持稳定。如果输入为开路(拉至 VEE),则 Q 输出将变为低电平。 | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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| IBIS model for mc100lvel11dt 3.3V | UNKNOW | 5 | 点击下载 |
| 3.3V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer | 93 | 点击下载 | |
| IBIS Model for MC100LVEL11D 3.3V | UNKNOW | 14 | 点击下载 |
| IBIS Model for MC100LVEL11MN at 3.3V | UNKNOW | 5 | 点击下载 |
| SOIC-8 Narrow Body | 61 | 点击下载 | |
| TSSOP 8 3.0x3.0x0.95 mm | 75 | 点击下载 | |
| DFN8 2.0x2.0x0.9mm, 0.5p | 31 | 点击下载 | |
| MC100LVEL11_PKG.GIF | UNKNOW | 8 | 点击下载 |
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