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制造商：TI
LF398-N-MIL 封装图
LF398-N-MIL 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LF398H | TI | LF398-N-MIL 单片采样保持电路 | 立即购买 |
| LF398H/NOPB | TI | 采样和保持 放大器 1 电路 TO-99-8 | 立即购买 |
...出气体导致其他组件腐蚀的可能性。 除了逸气值远低于MIL-SPEC SAE-AS22759规定的20PPM之外，SPEC 55 LF绝缘系统的刮擦磨损性能也达到了该标准要求的五倍。坚固的结构和丰富的多功能性两相结合。SPEC 55 LF系统提
意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低
意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
由于成本上的优势，目前市场上的NAND闪存主流已经变成了TLC、QLC，MLC都很罕见了，SLC闪存更是凤毛麟角，消费级市场上几乎消失了。
MIL（Model In The Loop）模型在环仿真测试用于在实际系统搭建完成之前进行模型测试，使用VeriStand搭建MIL测试环境，可以在不需要硬件资源的情况下测试控制模型。
两个采样保持放大器LF398构成的阶梯波发生电路图 如图所示为由两个LF398构成的阶梯波发生电路。初始状态：两个
摘要 ：本文介绍了一种以采样/ 保持器 L F398 芯片为主要器件的峰值保持电路。该电路具有结构简单、调试方便、性能优良等优点 ，可广泛应用于各种脉冲分析系统。
lf198/lf298/lf398应用电路
| L2G2IS | LM311 | LB1863M | LV8417CS |
| LA6583MC | LMC6062-MIL | LE25U40CQE | LC823430TA |
| LV0111CF | LMP90100 | LM337 | LMX2581 |
| LM358S | LIS3LV02DL | LE2416RLBXA | LMP8601 |
| LV8727 | LC75106V | LC87F5M64A | LV5768V-A |
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