购物车0制造商:ADI/AD
优势和特点
高P1dB输出功率: +31 dBm
高Psat输出功率: +33 dBm
高增益: 12 dB
High Output IP 3: +41 dBm
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸: 2.99 x 1.84 x 0.1 mm
产品详情
HMC998A是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器裸片,工作频率范围为DC至22 GHz。 本放大器提供12 dB增益,+41 dBm输出IP 3和+31 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为500 mA(采用+15V电源)。 该多功能PA在1至18 GHz范围内具有正增益斜率,因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC998A放大器I/O内部匹配至50 Ω,方便集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
测试仪器仪表
微波无线电和VSAT
军事和航天
电信基础设施
光纤产品

HMC998A-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC998A | - | - | 立即购买 |
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应,在Multi-Die系统中升级为主要效应。
HMC742ALP5E是一款数字控制可变增益放大器,工作频率范围为70 MHz至4 GHz,可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益,步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB,任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。
,它由Analog Devices公司推出,工作频率范围为20 - 50 GHz,为众多应用场景提供了出色的解决方案。 文件下载: HMC985A-Die.pdf 典型应用场景 HMC985A凭借其
Multi-Die设计是一种在单个封装中集成多个异构或同构裸片的方法,虽然这种方法日益流行,有助于解决与芯片制造和良率相关的问题,但也带来了一系列亟待攻克的复杂性和变数。尤其是,开发者必须努力确保
高频N沟道MOSFET驱动器UCC27201A - DIE的深度解析 在电子设计的领域中,高性能的MOSFET驱动器是实现高效功率转换的关键组件。今天,我们就来深入探讨德州仪器(TI)推出
,我们估计需要6000到8000个A100 GPU历时长达一个月才能完成训练任务。”不断提高的HPC和AI计算性能要求正在推动Multi-Die设计的部署,将多个异构或同构裸片集成到一个标准或高级封装中
今年似乎每个人都在讨论Multi-Die(集成多个异构小芯片)系统。随着计算需求激增和摩尔定律放缓,这种将多个异构晶粒或小芯片集成到同一封装系统中的方式,能够为实现苛刻PPA、控制成本以及满足上市
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。